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一种防反射膜材料，其系作为用于微影术的多层光阻膜的光阻中间层膜所使用之防反射膜材料，其特征为至少含有，使下述一般式(1)所示之具有重覆单位的高分子化合物与钳合化剂反应所得之高分子化合物，与有机溶剂，与酸产生剂；@sIMGTIF!d10001.TIF@eIMG!上式中，R1为与交联剂及/或式(1)中R5以外的有机基反应形成交联之1价有机基，R2为具有光吸收基之1价有机基，R5为相同或不同种的交联剂及与式(1)中有机基为非交联性的基，p1为0<p1<1范围的数，q1为0<q1<1范围的数，r1为0≦r1<1范围的数，p1+q1+r1在0.5<p1+q1+r1<1的范围，R3为羟基、碳数1~6的烷基、碳数1~4的烷氧基之任一种或与R2或R5相同的基，R4为与R1、R3、R5之任一种相同的基，m1为0≦m1≦1，m2为0≦m2≦1，m3为0≦m3≦2范围的数，R6为相同或不同种的碳数1~6的烷氧基或羟基，n在0≦n≦3的范围。一种防反射膜材料，其系作为用于微影术的多层光阻膜的光阻中间层膜所使用之防反射膜材料，其特征为至少含有，使相对于下述一般式(2)所示之具有重覆单位的高分子化合物100份含有氧化钛溶胶1份~50份的组成物与钳合化剂反应所得之组成物，与有机溶剂，与酸产生剂；@sIMGTIF!d10002.TIF@eIMG!上式中，R11为与交联剂及/或式(2)中R15以外的有机基反应形成交联之1价有机基，R12为具有光吸收基之1价有机基，R15为相同或不同种的交联剂及与式(2)中的有机基为非交联性的基，p2为0<p2<1范围的数，q2为0<q2<1范围的数，r2为0≦r2<1范围的数，p2+q2+r2在0<p2+q2+r2≦1的范围，R13为羟基、碳数1~6的烷基、碳数1~4的烷氧基之任一种，或与R12或R15相同的基，R14为与R11、R13、R15之任一种相同的基，m11为0≦m11≦1，m12为0≦m12≦1，m13为0≦m13≦2。如申请专利范围第1项或2项的防反射膜材料，其中该钳合化剂为β-二酮类。如申请专利范围第1项的防反射膜材料，其中上述一般式(1)中的R2具有苯基。如申请专利范围第2项的防反射膜材料，其中上述一般式(2)中的R12具有苯基。一种图型形成方法，其为藉由微影术于基板形成图型的方法，其特征为至少于基板上形成有机膜而成为光阻下层膜，于该光阻下层膜上涂布如申请专利范围第1项至第5项中任一项的防反射膜材料，烘烤形成防反射膜而成为光阻中间层膜，于该光阻中间层膜上涂布光阻膜材料，预烘烤形成光阻膜而成为光阻上层膜，将该光阻上层膜的图型电路区域曝光后，以显影液显影，于光阻上层膜形成光阻图型，将该光阻图型所形成之光阻上层膜成为光罩，将光阻中间层膜蚀刻，将形成图型之光阻中间层膜成为光罩，将光阻下层膜蚀刻，进而使光阻下层膜成为光罩，蚀刻基板，于基板上形成图型。一种如申请专利范围第6项的图型形成方法，其中使该基板之图型经形成的被加工层成为低介电率膜。如申请专利范围第6项或7项的图型形成方法，其中于形成图型后，藉由湿式剥离(wet stripping)除去该光阻中间层膜。一种基板，其为至少在有机膜上，具有防反射膜，于其上具有光阻膜的基板，其特征为该防反射膜系将如申请专利范围第1项至5项中任一项的防反射膜材料涂布于该有机膜上，烘烤所得者。 |
