| 主权项 |
一种图案化结构之制造方法，包括：提供一基底，该基底表面依序形成有一目标层和一衬层；图案化该衬层，以暴露出一部分目标层；施行一离子布植制程于该部分目标层，使该目标层形成一离子掺杂区和一未掺杂区；移除该衬层和该未掺杂区，以暴露出部分该基底表面；以及利用该离子掺杂区作为一硬遮罩，移除部份该基底，以于该基底中形成一图案化结构。如申请专利范围第1项所述之图案化结构之制造方法，其中该目标层之材料为未掺杂离子的多晶矽。如申请专利范围第1项所述之图案化结构之制造方法，其中该目标层之材料为非晶矽。如申请专利范围第1项所述之图案化结构之制造方法，其中该衬层之材料为底部反射涂层。如申请专利范围第1项所述之图案化结构之制造方法，其中该离子布植制程使用三价离子或五价离子。如申请专利范围第5项所述之图案化结构之制造方法，其中该些三价离子系为硼。如申请专利范围第5项所述之图案化结构之制造方法，其中该些五价离子系为二氟化硼。如申请专利范围第1项所述之图案化结构之制造方法，其中该离子布植制程使用离子之能量介于约5千电子伏特至约20千电子伏特之间。如申请专利范围第1项所述之图案化结构之制造方法，其中该离子布植制程使用离子之浓度介于约1014离子/平方公分到约1015离子/平方公分之间。一种图案化结构之制造方法，包括：提供一基底，并于该基底上依序形成一目标层和一第一衬层；图案化该第一衬层，并暴露部份该目标层；共形地形成一第二衬层于该基底上，以覆盖该图案化之第一衬层和暴露部份之该目标层；执行一斜角离子布值制程于部分该第二衬层，使该第二衬层形成一离子掺杂区和一未掺杂区，其中该未掺杂区覆盖部分该目标层；移除该掺杂区和该第一衬层，以暴露部份该目标层；以及以该未掺杂区为硬遮罩，移除暴露部份之该目标层，使该目标层形成一图案化结构。如申请范围第10项所述之图案化结构之制造方法，其中植入离子于部分该第二衬层之制程为一斜角离子布植制程。如申请范围第10项所述之图案化结构之制造方法，其中该第一衬层为一光阻层。如申请专利范围第11项所述之图案化结构之制造方法，其中该第二衬层之材料系为未掺杂离子的多晶矽。如申请专利范围第10项所述之图案化结构之制造方法，其中该斜角离子布植制程使用三价离子或五价离子。如申请专利范围第14项所述之图案化结构之制造方法，其中该些三价离子系为硼。如申请专利范围第14项所述之图案化结构之制造方法，其中该些五价离子系为二氟化硼。如申请专利范围第10项所述之图案化结构之制造方法，其中该斜角离子布植制程使用离子之能量介于约5千电子伏特至约20千电子伏特之间。如申请专利范围第10项所述之图案化结构之制造方法，其中该斜角离子布植制程使用离子之浓度介于约1014离子/平方公分到约1015离子/平方公分之间。如申请专利范围第10项所述之图案化结构之制造方法，其中移除该掺杂区和该第一衬层单体步骤为一湿式蚀刻，至少包括氨蚀刻溶液。如申请专利范围第10项所述之图案化结构之制造方法，其中移除暴露部份之该目标层之方式为一乾式蚀刻，至少包括CHF3、O2的混和气体或CHF2、CHF3与N2的混和气体。一种图案化结构之制造方法，包括：提供一基底，该基底表面依序形成有一未掺杂多晶矽层和一抗反射层；图案化该抗反射层，以暴露出一部分多晶矽层；施行一离子布植制程于该部分多晶矽层，使该多晶矽层形成一离子掺杂区和一未掺杂区；移除该抗反射和该未掺杂区，以暴露出部分该基底表面；以及利用该离子掺杂区作为一蚀刻硬遮罩，蚀刻移除部份该基底，以于该基底中形成一图案化结构。一种图案化结构之制造方法，包括：提供一基底，并于该基底上依序形成一导体层和一第一衬层；图案化该第一衬层，并暴露部份该导体层；毯覆性沉积一第二衬层于该基底上，以覆盖该图案化之第一衬层和暴露部份之该导体层；进行一斜角离子制程，植入离子于部分该第二衬层，使该第二衬层形成一离子掺杂区和一未掺杂区，其中该未掺杂区覆盖部分该导体层；移除该掺杂区和该第一衬层，以暴露部份该导体层；以及以该未掺杂区为硬遮罩，移除暴露部份之该导体层，使该导体层形成一图案化结构。如申请专利范围第22项所述之图案化结构之制造方法，其中该图案化结构为一线状结构。如申请专利范围第22项所述之图案化结构之制造方法，其中该图案化结构为一岛状结构。 |
