| 主权项 |
一种基板处理装置，包括：可旋转式自旋头，支撑基板；喷射头，安装在所述自旋头上，以供应液体给所述自旋头所支撑之所述基板的底面；以及液体供应单元，供应所述液体给所述喷射头，其中所述喷射头包括：主体，配置在所述自旋头所支撑之所述基板的中央区域下面，以从所述液体供应单元接收所述液体；以及喷射构件，从所述主体延伸到所述自旋头所支撑之所述基板的边缘区域，以将所述主体供应的所述液体喷射到所述基板的底面，所述喷射构件具有第一喷口、第二喷口以及流程路径，所述第一喷口喷射所述液体给所述基板的所述边缘区域，所述第二喷口喷射所述液体给介于所述中央区域与所述边缘区域之间的中间区域，所述液体藉由所述流程路径先供应给所述第一喷口，然后再供应给所述第二喷口，其中所述喷射构件中具有第一流程路径与第二流程路径，所述第一流程路径使所述液体从所述喷射构件连接所述主体的一端流向所述喷射构件的另一端，且所述第二流程路径是延伸自所述第一流程路径，使所述液体从所述喷射构件的所述另一端流向所述喷射构件的所述一端，所述第二喷口形成于所述第二流程路径上。如申请专利范围第1项所述之基板处理装置，其中所述第一喷口形成于所述第一流程路径上。如申请专利范围第1项所述之基板处理装置，其中所述第一流程路径平行于所述第二流程路径。如申请专利范围第1项所述之基板处理装置，其中所述流程路径具有“U”形。如申请专利范围第1项所述之基板处理装置，其中所述第一喷口之间的距离小于所述第二喷口之间的距离。如申请专利范围第1项所述之基板处理装置，其中所述第一喷口以倾斜方式形成，使得每个所述第一喷口的上端部分指向所述基板的所述边缘区域。如申请专利范围第1项所述之基板处理装置，其中所述主体包括气体喷口，喷射气体给所述基板的所述中央区域，以帮助从所述喷射构件喷出的所述液体流向所述基板的所述边缘区域。如申请专利范围第1项所述之基板处理装置，其中所述喷射构件具有第三喷口，喷射所述液体给所述基板的所述中央区域。如申请专利范围第8项所述之基板处理装置，其中所述第三喷口以倾斜方式形成，使得每个所述第三喷口的上端部分指向所述基板的所述中央区域。一种喷射头，包括：主体，液体被供应给所述主体；以及喷射构件，延伸自所述主体，以喷射所述主体供应的所述液体，其中所述喷射构件中具有第一流程路径、第二流程路径以及喷口，所述第一流程路径使所述液体从所述喷射构件连接所述主体的一端流向所述喷射构件的另一端，且所述第二流程路径是延伸自所述第一流程路径，使所述液体从所述喷射构件的所述另一端流向所述喷射构件的所述一端，所述液体藉由所述喷口喷出以使得所述喷射构件另一端区域的所述喷口先喷出所述液体，然后所述喷射构件两端之间区域的所述喷口再喷出所述液体。如申请专利范围第10项所述之喷射头，其中所述第一流程路径具有第一喷口，在所述喷射构件的所述另一端区域喷出所述液体，且所述第二流程路径具有第二喷口，在所述喷射构件的所述一端与所述另一端之间的所述区域喷出所述液体。 |
