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一种发光二极体，包括：多数材料层结构，至少包括掺杂有第一极性杂质之第一极性半导体层、发光层、掺杂有第二极性杂质之第二极性半导体层、及电流扩散层，该多数材料层结构中系以复数沟渠划分为复数以矩阵式排列之发光区块；一第一极性电极，以环绕各发光区块之间布局；以及复数第二极性电极，系于各发光区块中连接于该电流扩散层。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该第一极性电极系以栅格布局环绕发光区块。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该第一极性电极为电性连接一第一极性电接触垫。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该些第二极性电极皆以复数导电线电性连接同一第二极性电接触垫。如申请专利范围第4项所述之发光二极体，其中该些导电线与该第二极性电接触垫以串联或并联式连接。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该第一极性半导体层、该发光层及该第二极性半导体层为GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN或以Al、In、Ga与N元素所组成的化合物。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该电流扩散层以金属复合结构或透明导电氧化物所组成。如申请专利范围第7项所述之发光二极体，其中该金属复合结构包括Ti、Al、Pt、Ni、Au、Pd、Co、Cr、Sn、Nd或Hf等金属。如申请专利范围第7项所述之发光二极体，其中该透明导电氧化物包括氧化铟锡、氧化镉锡、ZnO：Al、ZnGa2O4、SnO2：Sb、Ga2O3：Sn、AgInO2：Sn、In2O3：Zn、NiO、MnO、FeO、Fe2O3、CoO、CrO、Cr2O3、CrO2、CuO、SnO、GaO、RuO2、Ag2O、CuAlO2、SrCu2O2、LaMnO3、或PdO。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该发光层包括多重量子井结构。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，更包括一透明保护层，为覆盖该些发光区块。如申请专利范围第11项所述之发光二极体，其中该透明保护层以氧化矽、氮化矽、苯环丁烯、旋转涂布玻璃、环氧基负光阻、或氮化铝及碳化矽所组成。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该发光二极体之该第一极性电接触垫及该第二极性电接触垫以导电凸块电性连接于一基体上。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该第二极性电极系穿过该电流扩散层与第二极性半导体层连接。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，更包含一光反射层，设置于发光二极体之一外侧。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该光反射层以钯(Pd)，铑(Rh)，银(Ag)，铝(Al)，镍(Ni)，铂(Pt)，钛(Ti)，铜(Cu)，金(Au)，铬(Cr)，铟(In)，锡(Sn)，及铱(Ir)等反射率大于65%材质所组成。如申请专利范围第1项所述之发光二极体，其中该矩阵排列之列或/及行之数目为2至7。一种发光二极体之制程包括：形成多数材料层结构于一基材上，其中多数材料层结构至少包括掺杂有第一极性杂质之第一极性半导体层、发光层、掺杂有第二极性杂质之第二极性半导体层、及电流扩散层；将该多数材料层结构划分为复数以矩阵式排列之发光区块，各发光区块之间露出部分该第一极性半导体层；形成一第一极性电极，为环绕各发光区块之间布局；以及于各发光区块中形成复数第二极性电极。如申请专利范围第18项所述之制程，其中形成一第一极性电极之步骤包括将该第一极性电极围以栅格布局环绕发光区块。如申请专利范围第18项所述之制程，更包括形成一第一极性电接触垫，为与该第一极性电极电性连接。如申请专利范围第18项所述之制程，更包括形成一第二极性电接触垫及复数导电线，为与各发光区块之该些第二极性电极电性连接。如申请专利范围第21项所述之制程，其中形成该些第二极性电极及/或该些导电线系以蒸镀法、溅镀法、或网印法之制程完成。如申请专利范围第21项所述之制程，其中形成复数导电线之步骤更包括以串联或并联式将该些导电线连接该第二极性电接触垫。如申请专利范围第18项所述之制程，更包括形成一阻隔层于该些发光区块之间，以覆盖该第一极性电极。如申请专利范围第18项所述之制程，更包括形成一透明保护层覆盖该些发光区块。如申请专利范围第18项所述之制程，其中该电流扩散层以金属复合结构或透明导电氧化物所组成。如申请专利范围第18项所述之制程，其中形成该第一极性半导体层、该发光层及该第二极性半导体层之步骤包括执行有机金属化学气相沉积或分子束磊晶制程。如申请专利范围第18项所述之制程，其中将该多数材料层结构划分为复数以矩阵式排列之发光区块之步骤包括使用钻石刀切割、雷射切割、化学蚀刻法或离子耦合电浆蚀刻之制程。 |
