| 主权项 |
一种平板显示器制造设备之处理室，用以在其内部产生电浆，以对至少一基板进行一预定处理，其中，该处理室在其下方部位提供有一下方电极，该下方电极具有多个分离电极部件形成于其上，且该处理室被建构使得一单一大面积基板在该处理室中处理，且另外使得多个小面积基板同时在该处理室中处理。如申请专利范围第1项所述之处理室，其中该等分离电极部件在构造上建构成在该等分离电极部件之间可达成电性中断(electrical intermittence)。如申请专利范围第1项所述之处理室，其中该下方电极提供有多个举升销，该等举升销通过各个分离电极部件之边缘而举升和降低。如申请专利范围第3项所述之处理室，其中该等举升销被建构使得位于该下方电极中间之该等举升销，以及位于该下方电极边缘之该等举升销能分别被驱动。如申请专利范围第1项所述之处理室，其中当两个小面积基板彼此并列排列时，该两个小面积基板受电浆处理。如申请专利范围第1项所述之处理室，其中当四个小面积基板彼此呈矩形排列时，该四个小面积基板受电浆处理。如申请专利范围第1项所述之处理室，其中该处理室系一蚀刻装置之处理室。如申请专利范围第1项所述之处理室，其中该处理室系一化学气相沉积(CVD)装置之处理室。如申请专利范围第7项所述之处理室，其中该蚀刻装置系一种多重式蚀刻装置，其同时施加射频(RF)功率至该上方电极与该下方电极。如申请专利范围第7项所述之处理室，其中该蚀刻装置系一种双RF式蚀刻装置，其施加两种具不同频率之射频(RF)功率至该上方电极或该下方电极。如申请专利范围第7项所述之处理室，其中该蚀刻装置系一种反应式离子蚀刻(RIE)装置，其施加射频(RF)功率至该下方电极。如申请专利范围第7项所述之处理室，其中该蚀刻装置系一种电浆加强(PE)蚀刻装置，其施加射频(RF)功率至该上方电极。一种平板显示器制造设备，其包含至少一处理室、一传送室以及一载入锁定室，用以对至少一基板进行一预定处理，其中，该至少一处理室之下方部份提供有一下方电极，该下方电极具有多个分离电极部件形成于其上，且该至少一处理室、该传送室以及该载入锁定室被建构以执行用以处理一单一大面积基板之一单一处理模式，以及用以同时处理多个小面积基板的一多重处理模式。如申请专利范围第13项所述之设备，其中该等分离电极部件在构造上建构成在该等分离电极部件之间可达成电性中断(electrical intermittence)。如申请专利范围第13项所述之设备，其中该下方电极提供有多个举升销，该等举升销穿过每一分离电极部件之边缘而举升和降低，以使该等小面积基板独立地放置在该等相对应之分离电极部件上，并与该等相对应之分离电极部件分离开来。如申请专利范围第15项所述之设备，其中该等举升销被建构使得位于该下方电极中间之该等举升销，以及位于该下方电极边缘之该等举升销能分别被驱动。如申请专利范围第13项所述之设备，其中该传送室提供有一传送机械手臂，其用以传送该单一大面积基板，此外，其并用以同时传送该等小面积基板。如申请专利范围第17项所述之装置，其中该传送机械手臂具有一双臂型机械臂，其用以装载在上方与下方位置的基板。如申请专利范围第13项所述之设备，其中该载入锁定室中装设有两个缓冲区，且该等缓冲区系沿着该等基板之移动方向而彼此并列设置。如申请专利范围第19项所述之设备，其中该等缓冲区具有一长度其延伸使得该等小面积基板线性排列于其中。如申请专利范围第20项所述之设备，其中该载入锁定室更具有一基板移动单元，用以水平地移动放置在该等缓冲区上的该等基板。如申请专利范围第13项所述之设备，其中该载入锁定室系一堆叠型载入锁定室，其中两室彼此相堆叠且各别被驱动。如申请专利范围第13项所述之装置，其中该平板显示器制造设备建构成一丛集式构造，其中多个处理室连接在该传送室之外侧。如申请专利范围第13项所述之设备，其包含：至少一载入器，其装设在该载入锁定室邻近处，用以将该至少一基板引进至该载入锁定室并将该至少一基板移出至该载入锁定室外。如申请专利范围第24项所述之装置，其中该至少一载入器包含彼此并列排列的两个载入器，用以独立地引进和移出该等基板。如申请专利范围第25项所述之设备，其中该等载入器建构以将该等基板移至该载入锁定室中之不同位置。如申请专利范围第24项所述之设备，其中该至少一载入器建构以同时移动该等小面积基板。如申请专利范围第13项所述之设备，其中该等各别的室系建构得使两个小面积基板同时在该等各别的室中进行处理。如申请专利范围第13项所述之设备，其中该等各别的室系建构得使四个小面积基板同时在该等各别的室中进行处理。一种电浆处理方法，用以在一真空状态之处理室中产生电浆，以对至少一基板执行一预定处理，其中该电浆处理方法包含以下步骤：(1)于该处理室中提供一下方电极，该下方电极具有多个分离电极部件形成于其上；(2)将多个基板引进该处理室，并将该等基板放在该下方电极上；(3)在该处理室中产生电浆，以同时处理该等基板；以及(4)将已处理之该等基板移出至该处理室外。如申请专利范围第30项所述之方法，其中在步骤(2)中，该等基板系同时引进该处理室，然后放在该下方电极上。如申请专利范围第31项所述之方法，其中步骤(2)包含：a)将该等基板同时引进该处理室；以及，b)利用多个举升销来支撑被引进该处理室中之该等基板，以将该等基板放在该下方电极上。如申请专利范围第30项所述之方法，还包含：利用静电，将放在该下方电极上之该等基板强力地吸引至该下方电极，以将该等基板钳夹于该下方电极上，此步骤执行于该步骤(2)与步骤(3)之间。如申请专利范围第30项所述之方法，其中在步骤(3)中，藉由各别供应至各别基板上之RF功率产生多个电场。如申请专利范围第30项所述之方法，其中在步骤(4)中，该等基板系同时被举起，然后移出至该处理室外。如申请专利范围第35项所述之方法，其中步骤(4)包含：(c)利用位于该等各别基板下方之多个举升销来同时举升该等基板；以及(d)将该等已举升之基板同时移出至该处理室外。如申请专利范围第33项所述之方法，其中更包含释放该静电，以使该等基板自该下方电极松脱，此步骤系执行于步骤(3)与步骤(4)之间。 |
