光学元件成型之铸模的制造方法

主权项

一种用于成型光学元件之铸模的制造方法，该制造方法包含：形成具有超冷却液相之无定形合金的第一膜层至用于成型铸模的成型转移表面之主铸模的主转移表面上；当第一膜层的表面及铸模的基材的转移表面系正对且压合时，加热第一膜层使其高于具有超冷却液相之无定形合金的玻璃过渡点；及自主铸模剥离第一膜层且转移第一膜层至铸模的基材上，以形成铸模的成型转移表面。如申请专利范围第1项之制造方法，其中，于形成第一膜层在主铸模的主转移表面上的步骤中，第一膜层的膜厚度为0.01－500μm。如申请专利范围第1项之制造方法，其中制造方法另包含：在自主铸模剥离第一膜层且转移第一膜层至铸模的基材上的步骤之前，形成具有超冷却液相之无定形合金的第二膜层在铸模的基材的转移表面上，及其中，于转移第一膜层至铸模的基材上的步骤，当第一膜层及第二膜层系正对且压合时，第一膜层及第二膜层的至少一者被加热高于具有第一膜层的超冷却液相之无定形合金及具有第二膜层的超冷却液相之无定形合金的至少一者的玻璃过渡点。如申请专利范围第3项之制造方法，其中具有第一膜层的超冷却液相之无定形合金的组成及具有第二膜层的超冷却液相之无定形合金的组成系相同的。如申请专利范围第3项之制造方法，其中具有第一膜层的超冷却液相之无定形合金的组成及具有第二膜层的超冷却液相之无定形合金的组成系相互不同。如申请专利范围第3项之制造方法，其中第二膜层的膜厚度为0.01－500μm。如申请专利范围第1项之制造方法，其中制造方法另包含在形成具有超冷却液相之无定形合金的第一膜层在主铸模的主转移表面上的步骤之前，设置第一膜层在主铸模的主转移表面上。如申请专利范围第7项之制造方法，其中第一膜层的膜厚度为0.01－20μm。如申请专利范围第7项之制造方法，其中第一作用膜含有至少一种材质，该材质选自包括Pt、Ir、Pd、Au、Ru、Rh及Ag的贵金属元素、Fe、Co、Ni、Cr、W、Ti、Mo及Zr的过渡金属元素、氧化铝、氧化锆、碳化钨、氮化矽、氮化碳、TiN、TiAlN、氧化锆、钻石、钻石状碳及碳的群组。如申请专利范围第9项之制造方法，其中第一作用膜含有至少一种元素，其选自包括Pt、Ir、Pd、Au、Ru、Rh及Ag的贵金属元素与Fe、Co、Ni、Cr、W、Ti、Mo及Zr的过渡金属元素之群组。如申请专利范围第9项之制造方法，其中第一作用膜含有至少一种原料，其选自包括：氧化铝、氧化锆、碳化钨、氮化矽、氮化碳、TiN、TiAlN、氧化锆、钻石、钻石状碳及碳之群组。如申请专利范围第7项之制造方法，其中制造方法另包含：在形成具有超冷却液相之无定形合金的第一膜层至主铸模的主转移表面上的步骤之前，设置第二作用膜在第一作用膜上。如申请专利范围第12项之制造方法，其中第一膜层的膜厚度为0.01－20μm。如申请专利范围第12项之制造方法，其中第二作用膜含有至少一种材质，该材质选自包括Pt、Ir、Pd、Au、Ru、Rh及Ag的贵金属元素、Fe、Co、Ni、Cr、W、Ti、Mo及Zr的过渡金属元素、氧化铝、氧化锆、碳化钨、氮化矽、氮化碳、TiN、TiAlN、氧化锆、钻石、钻石状碳及碳的群组。如申请专利范围第14项之制造方法，其中第二作用膜含有至少一种元素，其选自包括Pt、Ir、Pd、Au、Ru、Rh及Ag的贵金属元素与Fe、Co、Ni、Cr、W、Ti、Mo及Zr的过渡金属元素之群组。如申请专利范围第12项之制造方法，其中第二作用膜含有至少一种原料，其选自包括：氧化铝、氧化锆、碳化钨、氮化矽、氮化碳、TiN、TiAlN、氧化锆、钻石、钻石状碳及碳之群组。如申请专利范围第7项之制造方法，其中第一作用膜系藉由蒸发沉积方法而形成的。如申请专利范围第17项之制造方法，其中第一作用膜系藉由化学蒸发沉积方法而形成的。如申请专利范围第17项之制造方法，其中第一作用膜系藉由物理蒸发沉积方法而形成的。如申请专利范围第19项之制造方法，其中第一作用膜系藉由溅射方法而形成的。如申请专利范围第17项之制造方法，其中第一作用膜系藉由离子电镀方法而形成的。如申请专利范围第17项之制造方法，其中第一作用膜系藉由真空蒸发方法而形成的。如申请专利范围第7项之制造方法，其中主铸模的主转移表面的光学形状被制成不同于光学元件的光学表面的形状，该形状系由铸模的成型转移表面所形成，成型转移表面系由主转移表面所形成，及其中此差别系依据形成在主转移表面上之第一作用膜的厚度及光学元件材料的热收缩的至少一者而决定。如申请专利范围第7项之制造方法，其中在自主铸模剥离第一膜层且转移第一膜层至铸模的基材上的步骤之后，第一作用膜留在主转移表面上。如申请专利范围第7项之制造方法，其中在自主铸模剥离第一膜层且转移第一膜层至铸模的基材上的步骤之后，第一作用膜被转移至铸模的成型转移表面上。如申请专利范围第25项之制造方法，其中制造方法另包含移除转移至铸模的成型转移表面上之第一作用膜。如申请专利范围第1项之制造方法，其中绕着光学元件的光轴之环形带结构系形成在由铸模的成型转移表面所形成之光学元件的光学表面上。如申请专利范围第27项之制造方法，其中环形带结构系光学路径差产生结构。如申请专利范围第27项之制造方法，其中环形带结构系炫耀型(blaze type)绕射结构，其截面形状于光轴方向系锯齿状。如申请专利范围第27项之制造方法，其中环形带结构系绕射结构，其包括光轴之截面形状系阶状形状。如申请专利范围第27项之制造方法，其中光学元件被使用于光学拾取装置，且，环形带结构具有校正由于照射光至光学元件上之光源的波长改变之光学元件的像差改变之功能。如申请专利范围第27项之制造方法，其中环形带结构具有校正由于光学元件的温度改变的像差的改变之功能。如申请专利范围第1项之制造方法，其中数个凸部或凹部系藉由数个形成在主铸模的主转移表面上之凸部或凹部而形成在铸模的成型转移表面上，使得数个对应于铸模的成型转移表面上的凸部或凹部之凸部或凹部系形成在光学元件的光学表面上。如申请专利范围第33项之制造方法，其中光学元件的光学表面的凸部或凹部形成等效折射率区的精密结构。如申请专利范围第33项之制造方法，其中光学元件的光学表面的凸部或凹部形成产生反射防止功效之精密结构。如申请专利范围第33项之制造方法，其中光学元件的光学表面的凸部或凹部形成产生结构型的双折射之精密结构。如申请专利范围第33项之制造方法，其中光学元件的光学表面的凸部或凹部形成共振区的精密结构。如申请专利范围第33项之制造方法，其中铸模的成型转移表面上之凸部或凹部系形成在铸模的成型转移表面的一部份上，使得光学元件的光学表面的凸部或凹部系形成在光学表面的一部份上。如申请专利范围第33项之制造方法，其中形成在铸模的成型转移表面上之凸部或凹部系形成在铸模的成型转移表面的一部份上，使得光学元件的光学表面的凸部或凹部包括至少数个配置图案的形状，且系形成在光学元件的光学表面的一部份上。如申请专利范围第1项之制造方法，其中成型转移表面仅形成为非球形表面形状。如申请专利范围第1项之制造方法，其中第一膜层系藉由真空蒸发方法而形成的。如申请专利范围第41项之制造方法，其中第一膜层系藉由化学蒸发沉积方法而形成的。如申请专利范围第41项之制造方法，其中第一膜层系藉由物理蒸发沉积方法而形成的。如申请专利范围第43项之制造方法，其中第一膜层系藉由溅射方法而形成的。如申请专利范围第43项之制造方法，其中第一膜层系藉由离子电镀方法而形成的。如申请专利范围第43项之制造方法，其中第一膜层系藉由真空蒸发方法而形成的。如申请专利范围第1项之制造方法，其中具有第一膜层的超冷却液相之无定形合金的组成含有不小于20mol%且不大于90mol%的比例之Pd。如申请专利范围第47项之制造方法，其中具有第一膜层的超冷却液相之无定形合金的组成含有至少一种元素，其选自包括Cu、Ni、Al、Si、P及B之群组，具有不小于1mol%的比例。如申请专利范围第1项之制造方法，其中具有第一膜层的超冷却液相之无定形合金的组成含有不小于20mo六%且不大于90mol%的比例之Zr。如申请专利范围第49项之制造方法，其中具有第一膜层的超冷却液相之无定形合金的组成含有至少一种元素，其选自包括Fe、Co、Hf、Ti、Cu、Ni、Al、Sn、Si、P及B之群组，具有不小于1mol%的比例。如申请专利范围第1项之制造方法，其中具有第一膜层的超冷却液相之无定形合金的组成含有不小于20mol%且不大于90mol%的比例之Ti。如申请专利范围第51项之制造方法，其中具有第一膜层的超冷却液相之无定形合金的组成含有至少一种元素，其选自包括Hf、Zr、Cu、Ni、Co、Fe、Sn、Al、Si、P及B之群组，具有不小于1mol%的比例。如申请专利范围第1项之制造方法，其中具有第一膜层的超冷却液相之无定形合金的组成含有不小于20mol%且不大于90mol%的比例之Mg。如申请专利范围第53项之制造方法，其中具有第一膜层的超冷却液相之无定形合金的组成含有至少一种元素，其选自包括Y、Hf、Zr、Cu、Fe、Co、Ni、Al、Si、P及B之群组，具有不小于1mol%的比例。如申请专利范围第1项之制造方法，其中具有第一膜层的超冷却液相之无定形合金的组成含有不小于20mol%且不大于90mol%的比例之La。如申请专利范围第55项之制造方法，其中具有第一膜层的超冷却液相之无定形合金的组成含有至少一种元素，其选自包括Cu、Ni、Co、Al、Si、P、B、Hf及Zr之群组，具有不小于1mol%的比例。如申请专利范围第1项之制造方法，其中具有第一膜层的超冷却液相之无定形合金的组成含有不小于20mol%且不大于90mol%的比例之Fe。如申请专利范围第57项之制造方法，其中具有第一膜层的超冷却液相之无定形合金的组成含有至少一种元素，其选自包括Co、Ni、Hf、Zr、Ti、Cu、Ni、Al、Sn、Si、P及B之群组，具有不小于1mol%的比例。如申请专利范围第1项之制造方法，其中具有第一膜层的超冷却液相之无定形合金的组成含有不小于20mol%且不大于90mol%的比例之Co。如申请专利范围第59项之制造方法，其中具有第一膜层的超冷却液相之无定形合金的组成含有至少一种元素，其选自包括Ni、Hf、Fe、Zr、Ti、Cu、Ni、Al、Sn、Si、P及B之群组，具有不小于1mol%的比例。如申请专利范围第1项之制造方法，其中具有第一膜层的超冷却液相之无定形合金的组成含有不小于20mol%且不大于90mol%的比例之Ni。如申请专利范围第59项之制造方法，其中具有第一膜层的超冷却液相之无定形合金的组成含有至少一种元素，其选自包括Co、Hf、Fe、Zr、Ti、Cu、Ni、Al、Sn、Si、P及B之群组，具有不小于1mol%的比例。如申请专利范围第1项之制造方法，其中具有第一膜层的超冷却液相之无定形合金的组成含有不小于20mol%且不大于90mol%的比例之Mo。如申请专利范围第63项之制造方法，其中具有第一膜层的超冷却液相之无定形合金的组成含有至少一种元素，其选自包括Fe、Co、Ni、Cu、Hf、Zr、Ti、W、Sn、Al、Si、P、B及Pd之群组，具有不小于1mol%的比例。如申请专利范围第1项之制造方法，其中具有第一膜层的超冷却液相之无定形合金的组成含有不小于20mol%且不大于90mol%的比例之Pt。如申请专利范围第65项之制造方法，其中具有第一膜层的超冷却液相之无定形合金的组成含有至少一种元素，其选自包括Fe、Co、Ni、Cu、Hf、Zr、Ti、W、Sn、Al、Si、P、B及Pd之群组，具有不小于1mol%的比例。如申请专利范围第1项之制造方法，其中具有第一膜层的超冷却液相之无定形合金的组成含有至少一种贵金属元素，其选自包括Os、Pt、Ir、Au、Ag、Rh、Pd及Ru之群组，具有不小于1mol%的比例。