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一种半导体发光元件之制造方法，系在基板上层积n型半导体层、发光层及p型半导体层，且在p型半导体层上层积透光性正极，同时在该透光性正极上设有正极接合焊垫，在上述n型半导体层上设有负极接合焊垫之制造半导体发光元件的方法，其特征为：在上述p型半导体层上，将透光性氧化物导电材料的透光性正极在比化学计量组成更为氧不足的状态形成后，在含氧氛围中进行退火处理，然后，在无氧氛围中进行再退火处理。如申请专利范围第1项之半导体发光元件之制造方法，其中，在比化学计量组成更为氧不足的状态是指，相对于化学计量组成的氧浓度，氧不足0.01原子%~10原子%之范围的状态。如申请专利范围第1或2项之半导体发光元件之制造方法，其中，将上述半导体层由氮化镓系化合物半导体构成。如申请专利范围第1或2项之半导体发光元件之制造方法，其中，将进行上述退火处理前之成膜状态之上述透光性正极的透过率设在80%~90%的范围，藉由上述退火处理使透过率提升，然后，在无氧氛围中进行再退火处理。如申请专利范围第1或2项之半导体发光元件之制造方法，其中，藉由上述再退火处理，降低上述透光性正极的薄片电阻。如申请专利范围第1或2项之半导体发光元件之制造方法，其中，将上述透光性正极形成于上述p型半导体层之上面的大致整面。如申请专利范围第1或2项之半导体发光元件之制造方法，其中，在250℃~600℃的温度范围进行上述退火处理。如申请专利范围第1或2项之半导体发光元件之制造方法，其中，在N2气体氛围中于200℃~500℃的温度范围进行上述再退火处理。如申请专利范围第1或2项之半导体发光元件之制造方法，其中，藉由对比上述化学计量组成更为氧不足的透光性正极，实施上述退火处理与再退火处理，使上述透光性正极的薄片电阻成为20Ω/□以下。如申请专利范围第1或2项之半导体发光元件之制造方法，其中，构成上述透光性正极的透光性氧化物导电材料，系选择由ITO(In2O3-SnO2)、AZnO(ZnO-Al2O3)、IZnO(In2O3-ZnO)、GZO(ZnO-Ca2O3)所构成的至少一种类。一种半导体发光元件，其特征为：藉由申请专利范围第1至10项中任一项之半导体发光元件之制造方法所获得。一种灯，其特征为：具备申请专利范围第11项之半导体发光元件。一种氮化镓系化合物半导体发光元件，系在基板上层积由氮化镓系化合物半导体所构成之n型半导体层、发光层及p型半导体层，且在p型半导体层上层积透光性正极，同时在该透光性正极上设有正极接合焊垫，在n型半导体层上设有负极接合焊垫之氮化镓系化合物半导体发光元件，其特征为：上述透光性正极系藉由将比化学计量组成更为氧不足的状态之透光性氧化物导电材料的透光性正极，在含氧氛围中进行初期退火处理以及在无氧氛围中进行再退火处理，而成为20Ω/□以下的薄片电阻。一种灯，其特征为：具有申请专利范围第13项之氮化镓系化合物半导体发光元件。 |
