| 主权项 |
一种制造至少一发光二极体晶片之方法，此发光二极体晶片设有一发光转换材料，其具有至少一发光材料，此方法包括以下各步骤：-制备一基体，其具有一种发光二极体晶片用之层序列，此层序列适合用来发出电磁辐射；-在该基体的至少一主面上施加一覆盖层；-该覆盖层中设有至少一空腔；以及-在该基体上施加发光转换材料，使空腔完全-或一部份被填满。如申请专利范围第1项之方法，其中该覆盖层具有一种光学上可结构化的材料及/或一种反射材料。如申请专利范围第1或2项之方法，其中该覆盖层在施加该发光转换材料之后完全去除。如申请专利范围第1项之方法，其中该覆盖层只有一部份在施加该发光转换材料之后选择性地去除。如申请专利范围第3项之方法，其中该去除过程以机械方式及/或化学方式来达成。如申请专利范围第4项之方法，其中该去除过程以机械方式及/或化学方式来达成。如申请专利范围第4项之方法，其中除了发光转换材料之外至少该覆盖层具有至少一发光材料。如申请专利范围第1项之方法，其中该基体在该主面上具有至少一电性接触面以与至少一发光二极体晶片形成电性上的连接且空腔在横向中对该覆盖层之接触面形成偏移而设置着。如申请专利范围第1项之方法，其中发光转换材料具有至少一种由矽树脂，矽氧烷，旋涂氧化物和光学上可结构化的材料所构成的基所形成的材料。如申请专利范围第1项之方法，其中施加一种流体的可硬化材料形式之发光转换材料且随后进行硬化。如申请专利范围第10项之方法，其中过多的发光转换材料在硬化之前至少一部份藉由分离而去除。一种制造至少一发光二极体晶片之方法，此发光二极体晶片设有一发光转换材料，其具有至少一发光材料，此方法包括以下各步骤：-制备一基体，其具有一种发光二极体晶片用之层序列，此层序列适合用来发出电磁辐射；-在该基体的至少一主面上施加一光学上可结构化的覆盖层，其具有发光材料；-该覆盖层中设有至少一空腔。如申请专利范围第1或12项之方法，其中该基体用于多个发光二极体晶片中。如申请专利范围第1或12项之方法，其中设有空腔，使其横切面随着逐渐增加的深度而变大或变小。如申请专利范围第1或12项之方法，其中设有空腔，其内壁至少一部份相对于该主面之主延伸面而倾斜地或弯曲地延伸。如申请专利范围第14项之方法，其中该覆盖层可依光学方式来结构化且该空腔之横切面或内壁之外形至少一部份是藉由不均匀的明显之曝光来调整。如申请专利范围第15项之方法，其中该覆盖层可依光学方式来结构化且该空腔之横切面或内壁之外形至少一部份是藉由不均匀的明显之曝光来调整。如申请专利范围第1或12项之方法，其中该基体是一种晶圆或载体，其上施加该层序列或施加多个此种层序列。一种具有基体之发光二极体晶片，此基体适合用来发出辐射且此基体在至少一主面上设有发光转换材料，其具有至少一发光材料，其特征为：此发光转换材料以一种层的形式而存在着，其侧面至少一部份须适当地形成，使此层相对于该主面之主延伸面而倾斜地或弯曲地延伸。如申请专利范围第19项之发光二极体晶片，其中发光转换材料具有至少一种由矽树脂，矽氧烷，旋涂氧化物和光学上可结构化的材料所构成的基所形成的材料。一种具有基体之发光二极体晶片，此基体适合用来发出辐射且此基体在至少一主面上设有发光转换材料，其具有至少一发光材料，其中此发光转换材料具有一种光学上可结构化的材料。如申请专利范围第21项之发光二极体晶片，其中发光转换材料已以光学方式而被结构化。如申请专利范围第19至22项中任一项之发光二极体晶片，其中该发光转换材料之层的厚度介于5微米(含)和250微米(含)之间。如申请专利范围第19至22项中任一项之发光二极体晶片，其中该发光转换材料之层的厚度介于10微米(含)和50微米(含)之间。如申请专利范围第20项之发光二极体晶片，其中发光转换材料在侧面上邻接于一种反射材料。如申请专利范围第25项之发光二极体晶片，其中该反射材料具有一种光学可结构化的材料。如申请专利范围第19或21项之发光二极体晶片，其中发光二极体晶片是一种薄膜-发光二极体晶片。如申请专利范围第19或21项中任一项之发光二极体晶片，其中发光转换材料具有至少一有机发光材料及/或至少一发光材料，其至少一部份以奈米微粒的形式而存在着。一种发光二极体晶片，其藉由申请专利范围第1至18项中任一项之方法而制成。 |
