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一种低折射率二氧化矽系被膜形成用组成物，其系含有矽氧烷聚合物、及烷基四级胺的低折射率二氧化矽系被膜形成用组成物，其特征在于，该矽氧烷聚合物含有以下述式(1)RnSiX4-n (1)(式中R系独立地表示氢原子或选自碳数1~20的烷基、链烯基、芳基及芳烷基中之至少一种，X系表示加水分解性基，n系表示0~2的整数，复数个R可相同亦可不同)所示之至少1种矽烷化合物的加水分解物及/或部分缩合物，该烷基四级胺是由下述式(2)所示之化合物，R1R2R3R4N+．K- (2)(在此，R1、R2、R3、R4系各自独立地表示1价的有机基，K-系配对阴离子(counter anion))相对于在低折射率二氧化矽系被膜形成用组成物中的固体成分(换算为SiO2之质量)，所含有的该烷基四级胺为25~250质量%。如申请专利范围第1项所述之低折射率二氧化矽系被膜形成用组成物，其中该烷基四级胺之热分解温度为300℃以下。一种低折射率二氧化矽系被膜形成用组成物，其含有矽氧烷聚合物、热分解性成分、及金属化合物，其特征在于，该矽氧烷聚合物含有以下述式(1)RnSiX4-n (1)(式中R系独立地表示氢原子或选自碳数1~20的烷基、链烯基、芳基及芳烷基中之至少一种，X系表示加水分解性基，n系表示0~2的整数，复数个R可相同亦可不同)所示之至少1种矽烷化合物的加水分解物及/或部分缩合物，该热分解性成分，是选自聚伸烷基二醇及其末端烷基化物、由1个至22个六碳糖类衍生物所构成之单糖类、二糖类、多糖类或其衍生物、及有机过氧化物中之至少一种，该金属化合物，是选自硷金属及硷土金属中之至少一种金属的化合物，相对于在低折射率二氧化矽系被膜形成用组成物中的固体成分(换算为SiO2之质量)，所含有的该热分解性成分为25~250质量%，相对于在二氧化矽系被膜形成用组成物中的矽氧烷聚合物(固体成分(换算为SiO2之质量))，所含有的该金属化合物为1~15质量%。如申请专利范围第3项所述之低折射率二氧化矽系被膜形成用组成物，其中该金属化合物系硷金属化合物。一种低折射率二氧化矽系被膜形成用组成物，其含有矽氧烷聚合物、热分解性成分、及选自硷产生剂或酸产生剂中之至少一种，其特征在于，该矽氧烷聚合物含有以下述式(1)RnSiX4-n (1)(式中R系独立地表示氢原子或选自碳数1~20的烷基、链烯基、芳基及芳烷基中之至少一种，X系表示加水分解性基，n系表示0~2的整数，复数个R可相同亦可不同)所示之至少1种矽烷化合物的加水分解物及/或部分缩合物，该热分解性成分，是选自聚伸烷基二醇及其末端烷基化物、由1个至22个六碳糖类衍生物所构成之单糖类、二糖类、多糖类或其衍生物、及有机过氧化物中之至少一种，该硷产生剂，是在300℃以下的温度产生硷的化合物，该酸产生剂，是在300℃以下的温度产生酸的化合物，相对于在低折射率二氧化矽系被膜形成用组成物中的固体成分(换算为SiO2之质量)，所含有的该热分解性成分为25~250质量%，相对于在二氧化矽系被膜形成用组成物中的矽氧烷聚合物(固体成分(换算为SiO2之质量))，所含有的该硷产生剂或酸产生剂为1~15质量%。如申请专利范围第3项或第5项所述之低折射率二氧化矽系被膜形成用组成物，其中该热分解性成分系分解温度为300℃以下的有机聚合物。 |
