| 主权项 |
一种半导体元件，其系具备有：具有相对向的一对之主面的基板(11)；在上述基板(11)之一方的主面上的第1传导型半导体层；在上述第1传导型半导体层上的第2传导型半导体层；形成于上述第1传导型半导体层与第2传导型半导体层之间的活性层(14)；以及形成于上述第2传导型半导体层上，反射从上述活性层(14)朝向上述第2传导型半导体层之光的反射层(16)，以上述基板(11)之另一面的主面作为主光取出面，其特征在于：在上述反射层(16)与第2传导型半导体层之间形成有透光性导电层(17)，在上述透光性导电层(17)与上述反射层(16)之界面形成凹凸面(22)而构成。如申请专利范围第1项之半导体元件，其中，上述透光性导电层(17)与上述第2传导型半导体层之界面为略平滑面。如申请专利范围第1或2项之半导体元件，其中，上述凹凸面(22)具有倾斜面，该倾斜面的倾斜角度与主光取出面的法线相对为60°以下。如申请专利范围第1项之半导体元件，其中，上述凹凸面(22)为连续的柱面(Cylindrical)透镜状。如申请专利范围第1项之半导体元件，其中，上述透光性导电层(17)是包含至少从锌、铟、锡及镁构成的群中选择至少一种的元素C之氧化物膜。如申请专利范围第5项之半导体元件，其中，上述氧化物膜除了元素C之外，另包含微量元素D。如申请专利范围第6项之半导体元件，其中，上述微量元素D是从锡、锌、镓、铝中选择至少一种的元素。如申请专利范围第7项之半导体元件，其中，上述氧化物膜之与上述半导体层的界面附近的上述微量元素D之浓度高于上述氧化物膜的其他部分之膜中微量元素D之浓度。如申请专利范围第7项或第8项之半导体元件，其中，上述氧化物膜之与上述半导体层的界面附近的上述微量元素D之浓度高于与上述界面相对向之面附近的微量元素D之浓度。如申请专利范围第6项之半导体元件，其中，上述氧化物膜与元素C相对包含20%以下的元素D。如申请专利范围第1项之半导体元件，其中，上述透光性导电层(17)系由ITO构成。如申请专利范围第1项之半导体元件，其中，上述反射层(16)包含至少从铝、钛、铂、铑、银、钯、铱、矽、锌中选择之至少一种的元素。如申请专利范围第1项之半导体元件，其中，上述反射层(16)是包含铝之金属膜。如申请专利范围第1项之半导体元件，其中，上述反射层(16)是包含Si、Zn、或Ti中任一种的介电质。如申请专利范围第1项之半导体元件，其中，上述透光性导电层(17)之膜厚与从上述活性层(14)放出的光之波长λ相对，为λ/4之约整数倍。如申请专利范围第1项之半导体元件，其中，上述透光性导电层(17)之膜厚为1μm以下。如申请专利范围第1项之半导体元件，其中，上述反射层(16)亦形成于与上述基板(11)之主面交叉的面而构成。如申请专利范围第1项之半导体元件，其中，使上述半导体层之与上述基板(11)的主面交叉的面至少一部分倾斜。如申请专利范围第1项之半导体元件，其中，上述第1传导型半导体层为n型半导体层，第2传导型半导体层为p型半导体层。如申请专利范围第1项之半导体元件，其中，上述第1传导型半导体层及第2传导型半导体层为氮化物半导体层。一种半导体元件之制造方法，其系具备有：具有相对向的一对之主面的基板(11)；积层在上述基板(11)之一方主面上的第1传导型半导体层；积层在上述第1传导型半导体层上的第2传导型半导体层；形成于上述第1传导型半导体层与第2传导型半导体层之间的活性层(14)；以及形成于上述第2传导型半导体层上，反射从上述活性层(14)朝向上述第2传导型半导体层之光的反射层(16)，以上述基板(11)之另一面的主面作为主光取出面且可安装于配线基板，其特征在于具有：在基板(11)上积层第1传导型半导体层、活性层(14)、及第2传导型半导体层之步骤；在上述第2传导型半导体层上形成透光性导电层(17)之步骤；在上述透光性导电层(17)形成凹凸面(22)之步骤；以及在上述形成凹凸面(22)之透光性导电层(17)上形成反射层(16)之步骤。如申请专利范围第21项之半导体元件的制造方法，其中，上述透光性导电层(17)系包含至少从锌、铟、锡及镁构成的群中选择至少一种的元素C、及微量元素D包含至少从锡、锌、镓、及铝中选择至少一种的元素之氧化物膜。如申请专利范围第22项之半导体元件的制造方法，其中，上述氧化物膜之与上述半导体层的界面附近的上述微量元素D之浓度高于上述氧化物膜的其他部分之膜中的微量元素D之浓度。如申请专利范围第22或23项之半导体元件的制造方法，其中，上述氧化物膜之与上述半导体层的界面附近的上述微量元素D之浓度高于与上述界面相对向之面附近的微量元素D之浓度。一种半导体元件，属于具备：具有对向之一对之主面的基板(11)、和形成于前述基板(11)之一方之主面上的第1之传导型半导体层、和形成于前述第1之传导型半导体层上的第2之传导型半导体层、和形成于前述第1之传导型半导体层和前述第2之传导型半导体层间之活性层(14)、和形成于前述第2之传导型半导体层上，为反射从前述活性层(14)朝向前述第2之传导型半导体层之光线的反射层(16)的半导体元件，其特征乃于前述反射层(16)与第2之传导型半导体层间，形成至少包含至少一种选自锌、铟、锡、及镁所成群之一种元素C、和微量元素D的氧化物膜之透光性导电层(17)，前述氧化物膜乃与前述半导体层之界面附近之前述微量元素D，较前述氧化物膜之其他部分之膜中微量元素D之浓度为高者。如申请专利范围第25项之半导体元件，其中，前述氧化物膜乃与前述半导体层之界面附近之前述微量元素D，较对向于前述界面之面附近之微量元素D之浓度为高者。如申请专利范围第25项之半导体元件，其中，前述氧化物膜乃对于前述元素C而言，包含20%以下之元素D者。如申请专利范围第25项之半导体元件，其中，前述微量元素D乃锡，前述透光性导电层(17)乃由掺杂锡之In2O3(ITO)所成。如申请专利范围第25项之半导体元件，其中，前述反射层(16)乃包含至少一种选自铝、钛、铂、铑、银、钯、铱、矽、锌之元素。如申请专利范围第25项至第29项之任一项之半导体元件，其中，于前述透光性导电层(17)与前述反射层(16)之界面，形成凹凸面(22)，于成为凹部之面与成为凸部之面，微量元素D之浓度为不同者。 |
