发明名称 修正光学邻近效应之方法
摘要
申请公布号 TWI346294 申请公布日期 2011.08.01
申请号 TW097103203 申请日期 2008.01.29
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 崔在昇
分类号 G06F17/50;H01L21/027 主分类号 G06F17/50
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼;丁国隆 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项 一种修正光学邻近效应之方法,包括:制造具有多数测试图案之测试光罩;使用该测试光罩,在晶圆上形成多数晶圆图案;测量形成在晶圆上之该等晶圆图案的线宽;使用该等所测量之线宽来执行典范校正;使用该典范校正来编写修正程式;将该晶圆整个面积分割成多数模板;在该多数模板中之一个模板上执行光学邻近修正并确认于执行光学邻近修正期间,是否适当地执行在不同模板上所完成之光学邻近修正;合并在通过该确认之多数模板上的资料并编写最终资料;以及使用该最终资料来制造光罩。如申请专利范围第1项之方法,其中该晶圆整个面积之分割包括;将该晶圆整个面积分割成大致上具有恒定尺寸之多数模板;以及指定每个模板供该光学邻近修正之执行。如申请专利范围第2项之方法,其中将该多数模板分割成多数多边形。如申请专利范围第1项之方法,其中反覆该邻近修正之执行及该光学邻近修正之确认,直到由该确认所产生之误差值在误差容许范围内。一种修正光学邻近效应之方法,包括:制造具有多数测试图案之测试遮罩;使用该测试遮罩,在晶圆上形成多数晶圆图案;测量形成在晶圆上之该等晶圆图案的线宽;使用该等所测量之线宽来执行典范校正;使用该典范校正来编写修正程式;将该晶圆整个面积分割成多数模板;在该多数模板中之一个模板上执行光学邻近修正,并确认以判定于执行光学邻近修正期间,是否适当地执行光学邻近修正;在模板上重新执行光学邻近修正,其中产生之误差作为该确认之结果,并重新确认以判定是否适当地重新执行光学邻近修正;合并通过该等确认及重新确认之多数模板上的资料;使用该合并资料来编写最终资料;以及使用该最终资料来制造光罩。如申请专利范围第5项之方法,其中该重新执行光学邻近修正及重新确认包括:产生误差标帜以选取多数模板,其中产生之误差作为该确认之结果;重新执行该光学邻近修正并在由该误差标帜所选取之模板上重新确认。如申请专利范围第6项之方法,其中于重新确认步骤后更包括:指定任一层数以选取该多数模板,其中产生之误差作为该重新确认之结果;遮挡该等多数模板,于其上已适当地完成光学邻近修正之重新执行,以及实施该光学邻近修正之重新执行并在由指定之层阶数所选取的模板上实施重新确认。如申请专利范围第5项之方法,其中反覆该光学邻近修正之重新执行及重新确认,直到误差在误差容许范围内。如申请专利范围第5项之方法,其中使用以多边形为基准之方法来执行光学邻近修正。如申请专利范围第5项之方法,其中使用以格子为基准之方法或多重分割来重新执行光学邻近修正。
地址 南韩