| 主权项 |
一种透明导电性薄膜，其特征在于，于透明之薄膜基材之单面或两面上，经由至少两层底涂层而具有透明导电体层，上述透明导电体层经图案化，且于不具有上述透明导电体层之非图案部上具有上述至少一层底涂层，且至少距离透明之薄膜基材最远之底涂层与透明导电体层同样经图案化。如请求项1之透明导电性薄膜，其中底涂层至少有两层，且至少距离透明之薄膜基材最远之底涂层系由无机物形成。如请求项2之透明导电性薄膜，其中由无机物形成之底涂层为SiO2膜。如请求项1之透明导电性薄膜，其中自透明之薄膜基材起第一层之底涂层系由有机物形成。如请求项1之透明导电性薄膜，其中透明导电体层之折射率与底涂层之折射率之差为0.1以上。如请求项1之透明导电性薄膜，其中经图案化之透明导电体层系经由两层底涂层而设置，自透明之薄膜基材起第一层之底涂层之折射率(n)为1.5~1.7，厚度(d)为100~220 nm，自透明之薄膜基材起第二层之底涂层之折射率(n)为1.4~1.5，厚度(d)为20~80 nm，透明导电体层之折射率(n)为1.9~2.1，厚度(d)为15~30nm，上述各层之光学厚度(n×d)之总和为208~554 nm。如请求项6之透明导电性薄膜，其中经图案化之透明导电体层及两层底涂层的上述光学厚度之总和、与非图案部之底涂层之光学厚度之差(△nd)为40~130 nm。一种透明导电性薄膜，其特征在于，以于至少单面上配置有上述经图案化之透明导电体层之方式，经由透明之黏着剂层而至少积层有两片如请求项1之透明导电性薄膜。如请求项1之透明导电性薄膜，其中以于单面上配置有上述经图案化之透明导电体层之方式，如请求项1之透明导电性薄膜之单面上，经由透明之黏着剂层而贴合有透明基体。如请求项1之透明导电性薄膜，其系用于触控面板。如请求项10之透明导电性薄膜，其中触控面板系电容耦合方式之触控面板。一种透明导电性薄膜之制造方法，其特征在于，其系如请求项1至11中任一项之透明导电性薄膜之制造方法，其包括如下步骤：透明导电性薄膜制备步骤，制备透明导电性薄膜，该透明导电性薄膜系于透明之薄膜基材之单面或两面经由至少两层底涂层而具有透明导电体层者；透明导电体层图案化步骤，藉由酸来蚀刻上述透明导电体层从而将其图案化；以及蚀刻步骤，于上述图案化步骤后，藉由硷蚀刻至少距离透明之薄膜基材最远之底涂层。如请求项12之透明导电性薄膜之制造方法，其中于透明导电体层图案化步骤之后，具有透明导电体层结晶化步骤，其系对经图案化之透明导电体层进行退火化处理从而使其结晶化。一种触控面板，其特征在于包含如请求项1至11任一项之透明导电性薄膜。 |
