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一种偏压溅镀膜形成方法，用以藉由施加阴极电压和基底偏压两电压形成薄膜，其中薄膜形成在只有施加该两电压当中的阴极电压之状态时形成不规则的基底上，该基底和目标之间的距离等于或大于200 mm，及在连续地改变或逐步地增加与减少该基底偏压在150及350 W之间的范围内，使得形成在该不规则的侧墙和底部的表面上之该薄膜厚度实质上均匀的同时，执行溅镀薄膜形成。根据申请专利范围第1项之偏压溅镀膜形成方法，其中来自目标的溅镀粒子实际上垂直进入该基底。根据申请专利范围第1项或第2项之偏压溅镀膜形成方法，其中使用该薄膜当作屏障层，或电解电镀用种晶层。一种偏压溅镀膜形成装置，用以藉由施加阴极电压和基底偏压两电压形成薄膜，其中薄膜形成在只有施加该两电压当中的阴极电压之状态时形成不规则的基底上，该基底和目标之间的距离等于或大于200 mm，及在连续地改变或逐步地增加与减少该基底偏压在150及350 W之间的范围内，使得形成在该不规则的侧墙和底部的表面上之该薄膜厚度实质上均匀的同时，执行溅镀薄膜形成，该装置包含可变输出向基底电极和控制系统之AC(交流)功率源或DC(直流)功率源，其中该控制系统使阴极电压事先设定成预定电压、当基底和目标以预定距离分开时的基底偏压值及对应于该基底偏压值的形成于该不规则的侧墙的表面上之薄膜的侧边范围厚度分布被储存当作参考值、及当该不规则的侧墙的表面被形成时，藉由自该参考资料选择使该薄膜厚度实质上均匀之基底偏压值所产生的偏压函数控制该功率源的输出。根据申请专利范围第4项之偏压溅镀膜形成装置，其中该装置另外包含可变输出向该阴极的功率源，其中在藉由依据该偏压函数控制该基底功率源之输出所执行的该偏压溅镀膜形成中，藉由控制该阴极功率源的输出，该控制系统也改变阴极电压。 |
