发明名称 |
PROCEDE DE RECUIT D'UNE STRUCTURE |
摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé de recuit d'une structure comprenant au moins une plaque, le procédé de recuit comprenant une première étape de recuit de la structure sous atmosphère oxydante de manière à former une couche d'oxyde (310) sur au moins une partie de sa surface exposée, la structure étant en contact avec un support (312) dans une première position. Le procédé comprend en outre une étape de déplacement de la structure sur le support dans une seconde position dans laquelle la ou les zones de contact (314) entre la structure et le support lors de la première étape de recuit sont exposées et une deuxième étape de recuit de la structure dans la deuxième position sous atmosphère oxydante.</p> |
申请公布号 |
FR2955697(A1) |
申请公布日期 |
2011.07.29 |
申请号 |
FR20100050469 |
申请日期 |
2010.01.25 |
申请人 |
SOITEC SILICON INSULATOR TECHNOLOGIES |
发明人 |
SOUSBIE NICOLAS;ASPAR BERNARD;BARGE THIERRY;LAGAHE BLANCHARD CHRYSTELLE |
分类号 |
H01L21/324 |
主分类号 |
H01L21/324 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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