Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit epitaktisch gefülltem Graben und Halbleitervorrichtung mit epitaktisch gefülltem Graben

摘要

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, das die folgenden Schritte aufweist: Vorbereiten eines Halbleitersubstrates (1, 41, 42), das als Hauptfläche (1a) eine Si{100}-Fläche hat, Ausbilden eines ersten Grabens (2, 50), der durch eine Bodenfläche (2c, 50c), zwei einander gegenüber liegende lange Seitenwandflächen (2a, 50a) und zwei einander gegenüber liegende kurze Seitenwandflächen (2b, 50b) definiert wird, in der Hauptfläche (1a) derart, daß die langen Seitenwandflächen (2a, 50a) Si{100}-Flächen sind, und Ausbilden einer Halblei2a, 50a, 2b, 50b) und der Bodenfläche (2c, 50c) des Grabens (2, 50) durch Epitaxie.