Vorrichtung zur Messung der Temperatur in vertikal aufgebauten Halbleiterbauelementen bei laufendem Betrieb und kombinierte Teststruktur zur Erfassung der Zuverlässigkeit

摘要

Vorrichtung zur Messung einer Temperatur in Halbleiterbauelementen mit einem Trägersubstrat (1) zum Aufnehmen eines integrierten Halbleiterbauelements (VT); einem Temperatursensor (TS) zum Erfassen einer Temperatur des integrierten Halbleiterbauelements (VT), wobei der Temperatursensor (TS) ein ohmsches Mess-Widerstandselement (SR) aufweist, das im Trägersubstrat (1) ausgebildet ist, und einem Heizelement (H), das zum Erwärmen des integrierten Halbleiterbauelements (VT) ein Heiz-Widerstandselement (HR) in einem ersten Graben (2) des Trägersubstrats (1) aufweist und von diesem durch eine erste Grabenisolierschicht (5) isoliert ist.