| 摘要 |
Die Erfindung bezieht sich auf einen Bildsensor mit einem Substrat (110), das ein photoelektrisches Umwandlungsbauelement (120) beinhaltet, und einer Zwischenverbindungsstruktur (140) auf dem Substrat, wobei die Zwischenverbindungsstruktur eine oder mehrere dielektrische Zwischenmetallschichten (140a, 140b, 140c) beinhaltet. Ein Bildsensor gemäß der Erfindung beinhaltet des Weiteren eine Feuchtigkeitsabsorptions-Barrierenschicht (160) und zusätzlich eine Lichtleitereinheit (170), die ein Lichttransmittanzmaterial beinhaltet, das einen Hohlraum füllt, und/oder einen Farbfilter (190) auf der Feuchtigkeitsabsorptions-Barrierenschicht. Verwendung z. B. in der Halbleiterbildsensortechnologie. |
