发明名称 Pufferschaltung und Pufferschaltungsanordnung mit elektrostatischem Entladeschutz
摘要 Pufferschaltung mit – einer Pull-up-Schaltung (UP10) und einer Pull-down-Schaltung (DOWN10), die konfiguriert sind, um eine Spannung an einem Eingabe-/Ausgabeanschluss (IOPAD10) selektiv hochzuziehen oder hinunterzuziehen, und die mit separaten Energieversorgungsleitungen verbunden sind, wobei die Pull-up-Schaltung selektiv den Eingabe-/Ausgabeanschluss mit einer ersten Energieversorgungsleitung (26) verbindet und die Pull-down-Schaltung einen ersten und zweiten NMOS-Transistor (MNA, MNB) umfasst, die in Reihe zwischen dem Eingabe-/Ausgabeanschluss und einer Referenzleitung mit niedrigem Potential (28) eingeschleift sind, wobei ein Gate des ersten NMOS-Transistors (MNA) mit einer zweiten Energieversorgungsleitung (30) so verbunden ist, dass kein Strompfad zwischen dem Eingabe-/Ausgabeanschluss und dem Gate existiert, wenn eine elektrostatische Entladung am Eingabe-/Ausgabeanschluss empfangen wird, und ein Gate des zweiten NMOS-Transistors (MNB) ein Treibersignal empfängt, und – einer Isolierschaltung (P10), die konfiguriert ist, um den Eingabe-/Ausgabeanschluss von der ersten Energieversorgungsleitung zu isolieren.
申请公布号 DE112004002717(B4) 申请公布日期 2011.07.28
申请号 DE200411002717T 申请日期 2004.12.30
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 JEON, CHAN-HEE;KWON, BONG-JAE;KWON, EUN-KYOUNG
分类号 H01L27/04;H03K19/003;H01L27/02 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人
主权项
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