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Ein Wiederherstellungsverfahren für eine Speichersinem Multi-Level-Cell(MLC)-Flashspeicher verwendet wird und bei dem LSB-Speicherseiten und Speicherseiten eines höchstwertigen Bits (MSB) in einer gepaarten Speicherseitenstruktur miteinander gepaart werden sowie programmiert oder gelesen werden, wobei das Verfahren aufweist: Festlegen einer ersten bis n-ten LSB-Speicherseitengruppe (n ist eine natürliche Zahl, die größer als 2 ist), die zumindest zwei LSB-Speicherseiten von den in dem MLC-Flashspeicher enthaltenen LSB-Speicherseiten enthalten; te (x ist eine natürliche Zahl, die größer als 2 ist), die in einer i-ten LSB-Speicherseitengruppe (i ist eine natürliche Zahl, die kleiner als n ist) enthalten sind; Erzeugen und Speichern einer i-ten LSB-Paritätsspeicherseite für die erste bis x-te LSB-Speicherseite; Programmieren der ersten bis x-ten MSB-Speicherseite, die einer LSB-Speicherseite von der ersten bis x-ten LSB-Speicherseite entsprechen; und Wiederherstellen einer j-ten LSB-Speicherseite, die mit einer j-ten MSB-Speicherseite gepaart ist, unter Verwendung der...
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