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Verfahren zum Formen einer Halbleitervorrichtung, umfassend: Bereitstellen eines Substrates, das eine dielektrische Schicht trägt; und Formen einer aluminiumdotierten Metall-Carbonitrid-Gate-Elektrode auf der dielektrischen Schicht in Abwesenheit von Plasma durch: Ablagern eines Metall-Carbonitrid-Filmes durch Aussetzen des Substrates einem Gas-Puls eines Metall-Carbonitrid-Precursors, wobei der Metall-Carbonitrid-Precursor Tantal, Titan oder eine Kombination davon aufweist; Adsorbieren einer atomaren Schicht eines Alumium-Precursors auf dem Metall-Carbonitrid-Film durch Aussetzen des Substrates einem Gas-Puls des Aluminium-Precursors, wobei während des Ablagerns und Adsorbierens das Substrat bei einer Temperatur oberhalb der thermischen Zersetzungs-Temperatur des Metall-Carbonitrid-Precursors und unterhalb der thermischen Zersetzungstemperatur des Aluminium-Precursors gehalten wird, und Wiederholen des Ablagerns und Adsorbierens um gewünschte Male.
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