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Es sind eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen der Vorrichtung unter Verwendung eines Siliziumcarbidsubstrats mit einer (000-1)-Ebene vorgesehen. Eine SiC-Halbleitervorrichtung mit einer hohen Durchschlagfestigkeit und hohen Sperrspannung sowie einer hohen Kanalbeweglichkeit wird hergestellt, indem das Wärmebehandlungsverfahren optimiert wird, das im Anschluss an die Gateoxidation verwendet wird. Das Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfasst die Schritte: Bilden einer Gateisolationsschicht auf einem Halbleiterbereich, der aus Siliziumcarbid mit einer (000-1)-Ebenenorientierung gebildet ist, Bilden einer Gateelektrode auf der Gateisolationsschicht, Bilden einer Elektrode auf dem Halbleiterbereich, Reinigen einer Oberfläche des Halbleiterbereiches. Die Gateisolationsschicht wird in einer Atmosphäre gebildet, die 1% oder mehr H2O-(Wasser-)Dampf bei einer Temperatur von 800°C bis 1150°C enthält, um die Grenzflächen-Störstellendichte einer Grenzfläche zwischen der Gateisolationsschicht und dem Halbleiterbereich zu reduzieren.
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