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发明名称
CHARGE STORAGE NODES WITH CONDUCTIVE NANODOTS
摘要
Memory cells formed to include a charge storage node having conductive nanodots over a charge storage material are useful in non-volatile memory devices and electronic systems.
申请公布号
US2011180865(A1)
申请公布日期
2011.07.28
申请号
US20100693062
申请日期
2010.01.25
申请人
MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人
RAMASWAMY NIRMAL
分类号
H01L29/792;H01L21/336
主分类号
H01L29/792
代理机构
代理人
主权项
地址
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