发明名称 INSTALLATION AND METHOD FOR CONTROLLING THE INSTALLATION FOR THE PRODUCTION OF POLYCRYSTALLINE SILICON
摘要 <p>Es ist eine Anlage und ein Verfahren für die Herstellung von polykristallinem Silizium nach dem Monosilan-Prozess offbart. Es ist mindestens ein Reaktor (10), mindestens ein Konverter (20), mindestens ein Injektionstank (30) und mindestens ein Verdampfer (40) vorgesehen. Jeder Reaktor (10) besitzt eine Zuleitung (11a) für frisches Gasgemisch und eine Ableitung (11b) für zum Teil verbrauchtes Gasgemisch. Ebenso umfasst jeder Konverter (20) eine Ableitung (21) für ein Gasgemisch und jeder Verdampfer (40) besitzt eine Ableitung (41) für ein Gasgemisch. Es sind mehrere Entnahmeelemente (7) für Messproben in der Zuleitung (11a) und der Ableitung (11b) eines jeden Reaktors (10) sowie in der Ableitung (21) eines jeden Konverters (20) und der Ableitung (41) eines jeden Verdampfers (40) vorgesehen. Mindestens einem Gaschromatographen (2) werden die entnommenen Messproben über jeweils eine Leitung (8) von den Entnahmeelementen (7) her zugeführt.</p>
申请公布号 WO2011026670(A4) 申请公布日期 2011.07.28
申请号 WO2010EP59649 申请日期 2010.07.06
申请人 G+R TECHNOLOGY GROUP AG;STOECKLINGER, ROBERT 发明人 STOECKLINGER, ROBERT
分类号 C01B33/035;B01J19/00;G01N1/22;G01N30/00 主分类号 C01B33/035
代理机构 代理人
主权项
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