发明名称 |
INSTALLATION AND METHOD FOR CONTROLLING THE INSTALLATION FOR THE PRODUCTION OF POLYCRYSTALLINE SILICON |
摘要 |
<p>Es ist eine Anlage und ein Verfahren für die Herstellung von polykristallinem Silizium nach dem Monosilan-Prozess offbart. Es ist mindestens ein Reaktor (10), mindestens ein Konverter (20), mindestens ein Injektionstank (30) und mindestens ein Verdampfer (40) vorgesehen. Jeder Reaktor (10) besitzt eine Zuleitung (11a) für frisches Gasgemisch und eine Ableitung (11b) für zum Teil verbrauchtes Gasgemisch. Ebenso umfasst jeder Konverter (20) eine Ableitung (21) für ein Gasgemisch und jeder Verdampfer (40) besitzt eine Ableitung (41) für ein Gasgemisch. Es sind mehrere Entnahmeelemente (7) für Messproben in der Zuleitung (11a) und der Ableitung (11b) eines jeden Reaktors (10) sowie in der Ableitung (21) eines jeden Konverters (20) und der Ableitung (41) eines jeden Verdampfers (40) vorgesehen. Mindestens einem Gaschromatographen (2) werden die entnommenen Messproben über jeweils eine Leitung (8) von den Entnahmeelementen (7) her zugeführt.</p> |
申请公布号 |
WO2011026670(A4) |
申请公布日期 |
2011.07.28 |
申请号 |
WO2010EP59649 |
申请日期 |
2010.07.06 |
申请人 |
G+R TECHNOLOGY GROUP AG;STOECKLINGER, ROBERT |
发明人 |
STOECKLINGER, ROBERT |
分类号 |
C01B33/035;B01J19/00;G01N1/22;G01N30/00 |
主分类号 |
C01B33/035 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|