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Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe, umfassend in der angegebenen Reihenfolge: (a) gleichzeitig beidseitige Material abtragende Bearbeitung der von einem Einkristall abgetrennten Halbleiterscheibe, wobei die Halbleiterscheibe zwischen zwei rotierenden ringförmigen Arbeitsscheiben bearbeitet wird, wobei jede Arbeitsscheibe Abrasive mit einer mittleren Korngröße von 5,0–20,0 μm enthält; (b) Behandlung beider Seiten der Halbleiterscheibe mit einem alkalischen Medium; (c) Schleifen von Vorder- und Rückseite der Halbleiterscheibe, wobei jeweils eine Seite der Halbleiterscheibe mittels eines Scheibenhalters festgehalten wird,g bearbeitet wird; wobei das Schleifwerkzeug Abrasive mit einer mittleren Korngröße von 1,0–10,0 μm enthält, wobei die mittlere Korngröße der Abrasive kleiner ist als die mittlere Korngröße der Abrasive der in Schritt (a) verwendeten Arbeitsscheiben; (d) Politur beider Seiten der Halbleiterscheibe mit einem Poliertuch enthaltend Abrasive mit einer mittleren Korngröße von 0,1–1,0 μm; (e) Politur der Vorderseite der Halbleiterscheibe mit einem Abtragspoliertuch, welches keine Abrasive enthält, unter Zufuhr eines Poliermittels enthaltend Abrasive; (f) chemisch-mechanische Politur (CMP) der Vorderseite.
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