鳍型场效应晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供一种鳍型场效应晶体管及其制造方法。本发明的实施例提供了在鳍型场效应晶体管中宽度相对均匀的鳍及其形成该鳍的方法和装置。鳍结构可以形成为使得鳍结构的侧壁部分的表面垂直于第一晶体学方向。鳍结构的末端处的渐缩区域可以垂直于第二晶向。可以对鳍结构进行晶面依赖刻蚀。晶面依赖刻蚀可以相对快地从垂直于第二晶向的鳍的部分上去除材料，由此得到宽度相对均匀的鳍结构。

主权项

一种鳍型场效应晶体管的制造方法，包括：在半导体衬底上形成鳍结构，其中所述鳍结构的侧壁部分垂直于第一晶向，所述鳍结构进一步包括在所述鳍结构的至少一个末端处的渐缩区域，其中所述渐缩区域的侧壁部分垂直于第二晶向；和对所述鳍型场效应晶体管进行晶面依赖刻蚀，其中所述晶面依赖刻蚀相对于垂直于所述第一晶向的表面更快的刻蚀垂直于所述第二晶向的表面，所述晶面依赖刻蚀使所述鳍结构整形为沿着所述鳍结构的长度方向具有均匀的宽度。