发明名称 固体摄像装置制造方法
摘要 本发明提供了一种固体摄像装置制造方法,在所述固体摄像装置中,在半导体基板上形成有检测电磁波并产生信号电荷的电荷生成部,并且在所述电荷生成部的检测面上方形成有具有负固定电荷的负电荷累积层,所述方法包括以下步骤:在所述电荷生成部的检测面上形成能够供氧的供氧膜;形成金属膜,使得所述金属膜覆盖所述电荷生成部的检测面上的所述供氧膜;以及在不活泼气氛中对所述金属膜进行热处理,从而在所述金属膜与所述电荷生成部的检测面上的所述供氧膜之间形成所述金属膜的氧化物,所述氧化物用作所述负电荷累积层。本发明能够只在电荷生成部的检测面上方形成氧化物绝缘膜并使其用作负电荷累积层,因而抑制由界面态引起的暗电流分量。
申请公布号 CN101515567B 申请公布日期 2011.07.27
申请号 CN200910006975.4 申请日期 2009.02.18
申请人 索尼株式会社 发明人 桧山晋;平野智之
分类号 H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人 陈桂香;武玉琴
主权项 一种固体摄像装置制造方法,在所述固体摄像装置中,在半导体基板上形成有检测电磁波并产生信号电荷的电荷生成部,并且在所述电荷生成部的检测面上方形成有具有负固定电荷的负电荷累积层,所述方法包括以下步骤:在所述电荷生成部的检测面上形成能够供氧的供氧膜;形成金属膜,使得所述金属膜覆盖所述电荷生成部的检测面上的所述供氧膜;以及在不活泼气氛中对所述金属膜进行热处理,从而在所述金属膜与所述电荷生成部的检测面上的所述供氧膜之间形成所述金属膜的氧化物,所述氧化物用作所述负电荷累积层。
地址 日本东京