| 发明名称 | SRAM单元 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种SRAM单元，包括六个MOS晶体管M1、M2、M3、M4、M5和M6，其中晶体管M1、M2和M3的源极相连，且连接晶体管M5和M6所共用的栅极；晶体管M4、M5和M6的源极相连，且连接晶体管M2和M3所共用的栅极；所述晶体管M5的栅极和晶体管M2的源极由一个接触孔电极相连接。本发明可以减少版图结构中的金属连线，并可以简化制造工艺，减小SRAM单元的面积。 | ||
| 申请公布号 | CN102136479A | 申请公布日期 | 2011.07.27 |
| 申请号 | CN201010027351.3 | 申请日期 | 2010.01.21 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 陈广龙;谭颖;王函;杨斌 |
| 分类号 | H01L27/11(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L21/8244(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/11(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 周赤 |
| 主权项 | 一种SRAM单元，其特征是，包括六个MOS晶体管M1、M2、M3、M4、M5和M6，其中晶体管M1、M2和M3的源极相连，且连接晶体管M5和M6所共用的栅极；晶体管M4、M5和M6的源极相连，且连接晶体管M2和M3所共用的栅极；所述晶体管M5的栅极和晶体管M2的源极由一个接触孔电极相连接。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||