具静电保护的发光二极管封装结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种具静电保护的发光二极管封装结构及其制作方法，其利用一特殊的复合基板来制备一内埋二极管与发光二极管，利用复合基板中的绝缘层来隔绝阵列式结构中的个别的内埋二极管，以使发光二极管装置具有静电保护的功能。本发明还公开了一种发光二极管静电保护系统。

主权项

一种具静电保护的发光二极管封装结构，其特征在于，包含有：一复合基板，第一硅基板及依次设置于该第一硅基板下的绝缘层及第二硅基板，该第一硅基板包含一第一半导体区、一第二半导体区、及介于该第一半导体区与该第二半导体区间的一凹槽；一第一电极，设置于该第一半导体区与该凹槽间；一第二电极，设置于该第二半导体区与该凹槽间，该第一电极与该第二电极为电性绝缘；至少一发光二极管，设置于该凹槽内并具有二电极端点，该二电极端点与该第一电极和该第二电极分别电性连接；以及一内埋电子元件，内埋于该第一半导体区并具有二电极端点，该内埋电子元件的该二电极端点是分别与该第一电极与该第二电极电性连接，且该内埋电子元件包含至少一内埋二极管，该内埋二极管相对于该第一电极与该第二电极的顺向偏压方向相反于该发光二极管相对于该第一电极与该第二电极的顺向偏压方向；该内埋电子元件贯穿该第一硅基板并与该绝缘层接触；其中该第一电极除部分覆盖住该第一半导体区外，还部分设置于该绝缘层上。