半导体高压器件的结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体高压器件的结构，半导体高压器件呈左右对称的结构，靠近对称轴的位置设置有高压晶体管结构，在高压晶体管的外围设置有多个同心的环状PN结，在最外层的PN结外侧设置有与环状PN结同心的终端环沟槽，终端环沟槽内填充有氧化硅。本发明还公开了一种上述半导体高压器件的结构的制作方法，包括先在硅衬底上光刻和刻蚀形成终端环沟槽；然后在终端环沟槽内填充氧化硅，并用回刻工艺去除表面的氧化硅；然后按照功率MOS器件制造的正常工艺流程完成生产过程。本发明通过在环状PN结外围设置终端环沟槽，使得环状PN结的数量可以大大减少，只占用较小的芯片面积，并达到了更好的器件耐压性能，大大降低了器件的制造成本。

主权项

一种半导体高压器件的结构，其特征在于，所述半导体高压器件呈左右对称的结构，靠近对称轴的位置设置有高压晶体管结构，在所述高压晶体管的外围设置有多个同心的环状PN结，在最外层的PN结外侧设置有与环状PN结同心的终端环沟槽，所述终端环沟槽内填充有氧化硅。