| 发明名称 | 形成光生伏打装置吸收体层的方法 | ||
| 摘要 | 一种形成光生伏打装置吸收体层的方法，包括如下步骤：在金属箔衬底上形成初生吸收体层，以及使用滚筒到滚筒系统来传输衬底通过炉。在炉中并在H2Se气体、H2S气体、或VIA族蒸汽中加热所述初生吸收体层和/或衬底，而不破坏铝箔衬底。 | ||
| 申请公布号 | CN102136522A | 申请公布日期 | 2011.07.27 |
| 申请号 | CN201010522589.3 | 申请日期 | 2005.09.06 |
| 申请人 | 纳米太阳能公司 | 发明人 | 克雷格·莱德霍尔姆;布兰特·博尔曼 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;C23C18/00(2006.01)I;H01L31/04(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 蒋世迅 |
| 主权项 | 一种形成光生伏打装置吸收体层的方法，包括如下步骤：在铝箔衬底上形成初生吸收体层，其中，所述初生吸收体层是从纳米粒子前体材料的溶液形成的；在滚筒到滚筒的处理中传输铝箔衬底上的初生吸收体层通过炉；在H2Se气体、H2S气体、或VIA族蒸汽中，将所述炉中的初生吸收体层和/或衬底加热到平稳温度，而不破坏铝箔衬底。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||