光阻去除方法

摘要

本发明公开了一种用于在半导体结构中去除光阻的方法，所述半导体结构至少包括：由低k材料和/或超低k材料构成的介电层，在所述介电层上方形成的光阻层，以及蚀刻至所述介电层中的沟槽，所述方法包括：利用等离子体方法以第一压强去除所述半导体结构中的光阻层的一部分；以及利用所述等离子体方法以高于所述第一压强的第二压强去除所述半导体结构中的剩余光阻层。本发明还提供了通过上述方法获得的半导体结构、半导体器件，以及包含这样的半导体器件的电子设备。利用本发明的光阻去除方法，可以获得理想的沟槽轮廓，避免出现缺陷结构形态，并且减小对低k/超低k材料构成的介电层的损害，从而改善形成的半导体结构的性能。

主权项

一种用于在半导体结构中去除光阻的方法，所述半导体结构至少包括：由低k材料和/或超低k材料构成的介电层，在所述介电层上方形成的光阻层，以及蚀刻至所述介电层中的沟槽，所述方法包括：利用等离子体方法以第一压强去除所述半导体结构中的光阻层的一部分；以及利用所述等离子体方法以高于所述第一压强的第二压强去除所述半导体结构中的剩余光阻层。