采用缺氧金属氧化物层的非易失性存储装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种使用缺氧金属氧化物层的非易失性存储装置和一种所述非易失性存储装置的制造方法，其特征在于：所述非易失性存储装置具有开关装置和连接到开关装置的存储节点，其中存储节点包括下电极、在下电极上形成的缺氧金属氧化物层、在缺氧金属氧化物层上形成的数据存储层、和在数据存储层上形成的上电极。

主权项

一种非易失性存储装置，具有开关装置和连接到所述开关装置的存储节点，其中所述存储节点包括：下电极；在所述下电极上形成的缺氧金属氧化物层；在所述缺氧金属氧化物层上形成的数据存储层；和在所述数据存储层上形成的上电极，其中所述存储节点配置为当施加电压时在缺氧金属氧化物层的一个或更多氧空位处吸收氧，其中，所述存储节点具有Pt/NiO/ZnO/Ru结构，所述缺氧金属氧化物层为ZnO，所述数据存储层为NiO，所述缺氧金属氧化物层的材料不同于所述数据存储层的材料。