HEAVILY DOPED REGION IN DOUBLE-DIFFUSED SOURCE MOSFET (LDMOS) TRANSISTOR AND A METHOD OF FABRICATING THE SAME,申请号EP20080868218-传众专利搜索

发明名称	HEAVILY DOPED REGION IN DOUBLE-DIFFUSED SOURCE MOSFET (LDMOS) TRANSISTOR AND A METHOD OF FABRICATING THE SAME
摘要
申请公布号	EP2225771(A4)	申请公布日期	2011.07.27
申请号	EP20080868218	申请日期	2008.12.29
申请人	VOLTERRA SEMICONDUCTOR CORPORATION	发明人	ZUNIGA, MARCO, A.;YOU, BUDONG
分类号	H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78	主分类号	H01L21/336
代理机构		代理人
主权项
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