发明名称 |
一种混合气体导入金属硅熔液的方法 |
摘要 |
一种混合气体导入金属硅熔液的方法,用于去除金属硅中P、B、O、C杂质。首先采用微米级的耐高温的金属氧化物颗粒,高压成型制作多个弥散微孔贯通出气头,再将这些出气头根据导气种类分别紧密结合,安置于盛硅容器底部。再将气体按氧50%、氢25%、水蒸气25%,气体压力3KG的比例导入硅熔液中。每次操作完毕弃除容器壁渣壳后盛硅容器可继续使用。使用该方法避免了混合气体在进入熔液前过早混合反应,提纯后金属硅中的P、B、O、C含量分别下降25%、25%、50%和下降40%。 |
申请公布号 |
CN101559949B |
申请公布日期 |
2011.07.27 |
申请号 |
CN200810070928.1 |
申请日期 |
2008.04.15 |
申请人 |
南安市三晶阳光电力有限公司 |
发明人 |
郑智雄;林霞;戴文伟;胡满根;张伟娜;杨丽芳;闻震利;洪紫州 |
分类号 |
C01B33/037(2006.01)I;C04B35/66(2006.01)I;C04B35/01(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/037(2006.01)I |
代理机构 |
厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 |
代理人 |
张松亭 |
主权项 |
一种混合气体导入金属硅熔液的方法,其特征在于,采用如下步骤:(1)、制作贯通孔口小于10μm的气体出口;(2)、将气体出口根据导气种类分别紧密排列成为一个整体;(3)、将气体出口安置于反应容器的底部;(4)、将熔解至1800℃的硅熔液倒入装有气体导入装置的容器中;(5)、将不同气体分别导入硅熔液中,其比例是氧50%、氢25%、水蒸气25%,气体压力3KG;(6)、每次操作完毕弃除容器壁渣壳后反应容器继续使用;其中,所述的贯通孔口小于10μm的气体出口由以下方法得到:a、选择熔点高于2500℃的,纯度在99.99%以上的金属氧化物,将其研磨到75~10μm大小的颗粒;b、在金属氧化物颗粒中加入碱性液体,并搅拌均匀;c、将搅拌均匀的金属氧化物颗粒装入成型模具;d、将模具加温到750~850℃,置于500T以上的压力设备下,压制3~6小时,待温度降低到50℃时开模取出制件;e、将制件放置于避光处5~12天,让碱性液体继续挥发;f、将制件送到高温炉中进行烧结,以每小时升温1~5℃的速度升温至1000℃,保温48小时,再以每小时1~5℃的速度降温到200℃取出;g、出气头烧结完成后,在出气头底部装入金属导管并用金属板做护套,以保证气体由顶部溢出。 |
地址 |
362000 福建省南安市霞美光伏电子信息产业园 |