薄膜晶体管的制备方法

摘要

本发明属薄膜晶体管技术领域，涉及薄膜晶体管的制备方法，包括步骤：采用铟锌合金或铟锌氧化物为靶材，在室温条件下用磁控溅射技术在基板上生长具有透明非晶结构的铟锌氧化物半导体薄膜，形成薄膜晶体管的沟道层；采用热蒸发法在沟道层上制备源电极和漏电极；采用提拉或旋涂法在源电极和漏电极上面覆盖一层聚乙烯吡咯烷酮有机溶液制成的有机介质层薄膜；并采用热蒸发法在有机介质层薄膜上制备栅电极。所述靶材中的In∶Zn的原子比为0.5至5.0。本方法可制备具有良好电子光学性能的新型透明薄膜晶体管，其制备温度低，工艺简单，有利于大面积生产，具有广泛的应用前景。

主权项

一种薄膜晶体管制备方法，该薄膜晶体管由透明氧化物半导体层、源电极、漏电极、有机介质层、以及栅电极组成，其特征在于，所述制备方法包括步骤：‑采用铟锌合金或铟锌氧化物为靶材，在室温条件下利用磁控溅射技术，在基板上生长具有非晶结构的铟锌氧化物半导体(a‑In‑Zn‑O)薄膜，形成透明氧化物半导体薄膜作为薄膜晶体管沟道层，所述的铟锌合金靶或铟锌氧化物的In∶Zn的原子比为0.5至5.0，在磁控溅射步骤中氧气和惰性气体被通入反应室中，并且其中反应气体氧气的分压被控制在1.0×10‑2Pa至10×10‑2Pa，工作压强被控制在1.0×10‑1Pa至5.0×10‑1Pa，所述的磁控溅射电流设为50‑200mA，溅射电压为300‑500V，溅射时间为1‑30分钟；‑采用热蒸发方法在透明氧化物半导体薄膜上面制备源电极和漏电极；‑采用提拉或旋涂法在源电极和漏电极上面覆盖一层有机介质层薄膜；以及‑采用热蒸发方法在有机介质层薄膜上面制备栅电极。