| 发明名称 | 用于拉伸具有直径保持不变的区段的硅单晶的方法 | ||
| 摘要 | 用于拉伸具有直径保持不变的区段的硅单晶的方法，其包括：以单位为[mm/min]的预定的预期拉伸速率vp拉伸单晶；及以不长于(2×18mm)/vp的周期T校正直径波动的方式，通过调节第一加热源的加热功率而调节直径保持不变的区段内的单晶直径至预定的预期直径，所述第一加热源将热量导入单晶以及熔体与单晶临界的区域并设置在熔体上方。 | ||
| 申请公布号 | CN102134741A | 申请公布日期 | 2011.07.27 |
| 申请号 | CN201010576496.9 | 申请日期 | 2010.12.02 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | T·施罗克;W·冯阿蒙;C·克罗普肖夫尔 |
| 分类号 | C30B15/22(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B15/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 过晓东 |
| 主权项 | 用于拉伸具有直径保持不变的区段的硅单晶的方法，其包括：以单位为[mm/min]的预定的预期拉伸速率vp拉伸单晶；及以不长于(2×18mm)/vp的周期T校正直径波动的方式，通过调节第一加热源的加热功率而调节直径保持不变的区段内的单晶直径至预定的预期直径，所述第一加热源将热量导入单晶以及熔体与单晶临界的区域并设置在熔体上方。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||