| 发明名称 | 镁二次电池的修饰正极材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种镁二次电池的修饰正极材料及其制备方法，该正极材料是经过杂多酸修饰的四价钼酸镁，按质量百分比，四价钼酸镁的含量为85％～99％，杂多酸的含量为1％～15％。本发明中的四价钼酸镁，其化学结构式为：Mg1+xMoO3，其中0＜x≤0.1，制备方法是采用镁的化合物、钼的化合物、活性炭为原料，氩气为保护气体，经高温固相反应法制备得到四价钼酸镁粉末，然后用杂多酸进行修饰，得到一种镁二次电池的正极材料。该正极材料具有良好的电化学充放电行为，与目前镁二次电池较为理想的正极材料Mo3S4相比，其制备方法简单易行、成本低、具有高比容量和优良循环可逆性能，有显著的实用价值和经济效益。 | ||
| 申请公布号 | CN102136573A | 申请公布日期 | 2011.07.27 |
| 申请号 | CN201110071813.6 | 申请日期 | 2011.03.24 |
| 申请人 | 上海交通大学 | 发明人 | 吴晓梅;曾小勤;丁文江;李德江;李斐;张思 |
| 分类号 | H01M4/48(2010.01)I;H01M4/04(2006.01)I | 主分类号 | H01M4/48(2010.01)I |
| 代理机构 | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人 | 毛翠莹 |
| 主权项 | 一种镁二次电池的修饰正极材料，其特征在于由经杂多酸修饰的四价钼酸镁粉末构成，按质量百分比计，四价钼酸镁的含量为85％～99％，杂多酸的含量为1％～15％；所述四价钼酸镁为黑色粉末，化学结构式为Mg1+xMoO3，其中0＜x≤0.1。 | ||
| 地址 | 200240 上海市闵行区东川路800号 | ||