EEPROM器件

摘要

本发明公开了一种EEPROM器件，包括一存储晶体管和一选择晶体管。所述存储晶体管包括源区、漏区以及源漏间的沟道区，还包括ONO浮栅、多晶硅浮栅和控制栅，所述ONO浮栅为包括第一层氧化硅膜-第二层氮化硅膜-第三层氧化硅膜的三层膜结构。在所述控制栅施加不同的电压，电荷通过第一层氧化硅膜在沟道区和第二层氮化硅膜间隧穿，以及通过第三层氧化硅膜在第二层氮化硅膜和多晶硅浮栅间隧穿；通过第二层氮化硅膜和多晶硅浮栅存储的电荷不同组合决定所述EEPROM器件存储状态，能实现2位数据的存储。本发明能实现一个存储单元存储两位数据，使EEPROM器件的存储容量扩大一倍。

主权项

一种EEPROM器件，包括一存储晶体管和一选择晶体管，所述存储晶体管包括源区、漏区以及源漏间的沟道区，其特征在于：所述存储晶体管还包括ONO浮栅、多晶硅浮栅和控制栅，所述ONO浮栅为包括第一层氧化硅膜‑第二层氮化硅膜‑第三层氧化硅膜的三层膜结构，所述ONO浮栅位于所述沟道区上方并通过所述第一层氧化硅膜和所述沟道区相连，所述多晶硅浮栅位于所述ONO浮栅上方并和所述第三层氧化硅膜相连，所述控制栅位于所述多晶硅浮栅上方并通过一控制栅介质层和所述多晶硅栅相隔离；在所述控制栅施加不同的电压，电荷通过所述第一层氧化硅膜在所述沟道区和所述第二层氮化硅膜间隧穿，以及通过所述第三层氧化硅膜在所述第二层氮化硅膜和所述多晶硅浮栅间隧穿；通过所述第二层氮化硅膜和所述多晶硅浮栅存储的电荷不同组合决定所述EEPROM器件存储状态，能实现2位数据的存储。