| 发明名称 | 薄膜光电转换装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在以往的将非晶锗或者结晶硅用于光电转换层的薄膜光电转换装置中，存在无法将1100nm以上的长波长光利用于光电转换、转换效率的提高不充分的课题。本发明利用薄膜光电转换装置来解决所述课题，其特征在于：所述薄膜光电转换装置包括1个以上在p型半导体层与n型半导体层之间具备光电转换层的光电转换单元，至少一个光电转换单元的光电转换层包括本征或者弱n型的结晶锗半导体，并且所述结晶锗半导体的波数为935±5cm-1的红外吸收峰值的吸收系数不足6000cm-1。另外，通过特征在于所述结晶锗半导体的波数为960±5cm-1的红外吸收峰值的吸收系数不足3500cm-1的薄膜光电转换装置来解决所述课题。 | ||
| 申请公布号 | CN102138221A | 申请公布日期 | 2011.07.27 |
| 申请号 | CN200980133876.0 | 申请日期 | 2009.08.24 |
| 申请人 | 株式会社钟化 | 发明人 | 佐佐木敏明;门田直树 |
| 分类号 | H01L31/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李伟;王轶 |
| 主权项 | 一种薄膜光电转换装置，其特征在于：包括1个以上在p形半导体层与n型半导体层之间具备光电转换层的光电转换单元，至少一个光电转换单元的光电转换层包括本征或者弱n形的结晶锗半导体，并且所述结晶锗半导体的波数为935±5cm‑1的红外吸收峰值的吸收系数不足6000cm‑1。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||