用于RFID标签的ESD保护电路

摘要

本发明涉及一种用于RFID标签的ESD保护电路，该ESD保护电路具有泄放信号触发模块和电流泄放模块。根据本发明的ESD保护电路的显著优点在于，由于该ESD电路在泄电时不存在击穿器件，因此在设计RFID芯片电路时，能够对包括ESD保护电路的整体电路进行仿真。

主权项

一种用于RFID标签的ESD保护电路，所述ESD保护电路具有泄放信号触发模块和电流泄放模块，其特征在于，所述泄放信号触发模块具有奇数个反相器、第一电阻(R1)、第二NMOS晶体管(N2)、第二PMOS晶体管(P2)和第二电阻(R2)；所述电流泄放模块包括第三电阻(R3)、CMOS反相器、电容(C1)和第三NMOS晶体管(N3)，其中，所述CMOS反相器由第一PMOS晶体管(P1)和第一NMOS晶体管(N1)构成；其中，所述奇数个反相器以彼此首位相连的方式连接在所述第二PMOS晶体管(P2)的栅极和源极之间，所述第二PMOS晶体管(P2)的源极与第一节点(1)连接，所述第一电阻(R1)连接在电源(VDD)和所述第一节点(1)之间，所述第二NMOS晶体管(N2)的栅极连接所述第一节点(1)，并且所述第NMOS晶体管(N2)的源极、漏极和衬底都接地(GND)，所述第二电阻(R2)的一端与所述第一节点(1)连接，并且所述第二电阻(R2)的另一端与所述电流泄放模块的第三电阻(R3)的一端相连；其中，所述第三电阻(R3)的另一端与所述CMOS反相器的输入端相连，所述CMOS反相器的输出端与第二节点(2)相连，所述第三NMOS晶体管(N3)的栅极与所述第二节点(2)相连，并且所述第三NMOS晶体管(N3)的源极与所述电源(VDD)相连，而所述第三NMOS晶体管(N3)的漏极接地(GND)，并且在所述第二节点(2)和所述电源(VDD)之间还连接有所述电容(C1)。