| 发明名称 | 光电子半导体芯片 | ||
| 摘要 | 提出了一种半导体芯片，其具有：有源层(2)，该有源层设计用于发射电磁辐射；以及结构单元(5)的二维布置，该二维布置在半导体芯片的主辐射方向(6)上设置在有源层之后。结构单元(5)以任意的统计分布设置。通过结构单元的这种布置，可以实现具有定向的发射特征的半导体芯片。 | ||
| 申请公布号 | CN102138229A | 申请公布日期 | 2011.07.27 |
| 申请号 | CN200980133895.3 | 申请日期 | 2009.07.23 |
| 申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 诺贝特·林德;克里斯托弗·维斯曼;拉尔夫·维尔特;罗斯·斯坦利;罗穆亚尔德·乌德尔 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 王萍;周涛 |
| 主权项 | 一种光电子半导体芯片，其具有：有源层(2)，该有源层设计用于发射电磁辐射；以及结构单元(5)的二维布置，该二维布置在半导体芯片的主辐射方向(6)上设置在有源层之后，其中结构单元(5)分别具有第一横向延伸、垂直于第一横向延伸测量的第二横向延伸和/或垂直延伸，其大于或等于电磁辐射的发射最大值的波长的0.2倍，并且小于或等于电磁辐射的发射最大值的波长的5倍，以及结构单元以任意的统计分布来布置，其基本条件是：最近邻的邻近者的距离分布具有与平均值最小+/‑10％并且最大+/‑25％的标准偏差。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||