粘贴SOI晶片的制造方法及通过该方法制造的粘贴SOI晶片

摘要

通过以粘贴前的晶片表面上存在有机物的状态进行粘贴，并以粘贴界面上封闭有所述有机物的状态进行粘接强化热处理，制成粘贴界面上形成有结晶缺陷的粘贴SOI晶片，由此可以使SOI层和绝缘体层(氧化膜)的界面上形成简单且廉价的吸杂源。另外，通过该方法制造的本发明的粘贴SOI晶片，可以有效地去除对元器件特性和氧化膜耐压特性造成不良影响的重金属杂质。所以，本发明的制造方法及本发明的粘贴SOI晶片，作为具有优良元器件特性的SOI晶片或其制造方法得到广泛应用。

主权项

一种粘贴SOI晶片的制造方法，是隔着氧化膜对成为SOI层的活性层晶片和支承晶片进行粘贴后，使所述活性层晶片薄膜化，由此，在埋入氧化膜上形成SOI层，其特征在于，以在粘贴前的晶片表面上存在有机物的状态进行粘贴，以将所述有机物封闭在粘贴界面的状态进行粘接强化热处理，由此，使粘贴界面上形成由碳‑Si构成的结晶缺陷，并且，其碳浓度峰值为5×1018atoms/cm3以上。