绝缘栅极型半导体装置

摘要

本发明涉及一种绝缘栅极型半导体装置。现有的绝缘栅极型半导体装置中，在栅极焊盘电极的下方设置p+型杂质区域的情况下，p+型杂质区域的端部具有球面状的曲率。当漏极-源极间逆向击穿电压为数百伏时，电场集中在球面的端部，不能得到充足的漏极-源极间逆向击穿电压。在平面图案中，当p+型杂质区域的拐角部的曲率变大时，就会牺牲能配置在动作区域的晶体管单元数。本发明提供一种绝缘栅极型半导体装置，在栅极焊盘电极的下方也配置与晶体管单元连接的沟道区域及栅极。通过使晶体管单元为条纹状与源极接触，以所规定的电位固定位于栅极焊盘电极的下方的沟道区域。由此，即使不在栅极焊盘下方的整个面上设置p+型杂质区域，也能确保所规定的漏极-源极间逆向击穿电压。

主权项

一种绝缘栅极型半导体装置，其特征在于，具有：一导电型半导体基板；栅极，其在该一导电型半导体基板的一主面上设置成条纹状；逆向导电型沟道区域，其沿着所述栅极在所述一主面上设置成条纹状；第一绝缘膜，其设置在所述栅极与所述沟道区域之间；一导电型源极区域，其沿着所述栅极在所述一主面的所述沟道区域设置成条纹状；第二绝缘膜，其设置在所述栅极上；栅极焊盘电极，其经由所述第二绝缘膜设置在一部分所述沟道区域上。