半导体微型悬浮结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体微型悬浮结构的制造方法，是在硅衬底上表面形成至少一内具微机电结构的绝缘层，该微机电结构包含彼此独立的至少一微结构与金属电路，该微机电结构于绝缘层表面具有外露部分，相对应微机电结构预期蚀刻空间设有通孔或金属插销堆栈层，前述蚀刻空间或金属插销堆栈层仅通过绝缘层，另在绝缘层上表面制作具有一开口的掩膜层，该开口位于通孔或金属插销堆栈层外侧；接着依序蚀刻形成空间，形成微机电的微结构悬浮。藉此，有效避免微机电结构不当侵蚀及曝露，更能简化光刻掩膜板技术、降低光刻掩膜板的高精密需求、减少成本。本发明还公开了一种微型悬浮结构。

主权项

一种半导体微型悬浮结构，其特征在于：硅衬底上表面形成至少一内具微机电结构的绝缘层，所述微机电结构包含彼此独立的至少一微结构与金属电路，所述微机电结构于绝缘层表面具有外露部分，所述外露部分相对应于微机电结构预期蚀刻空间设有通孔，所述蚀刻空间仅通过绝缘层，另在所述绝缘层表面制作具有一开口的掩膜层，所述掩膜层开口位于所述外露部分的通孔外侧，所述硅衬底下表面蚀刻形成一空间，且所述蚀刻空间朝向所述空间蚀刻形成一贯通空间，所述蚀刻空间、贯通空间及所述空间彼此衔接而使所述微机电结构的微结构处于悬浮状态。