半导体激光元件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体激光元件的制造方法，其特征在于，包括：在n型GaN基板上依次叠层至少由氮化物半导体构成的第一导电型层、活性层和第二导电型层的工序；在由所述工序叠层的晶片上，将规定波导路区域的长度的分隔槽形成为槽的底面比活性层更深的工序；在所述第二导电型层上设置条形凸部，形成由有效折射率关住光的第二波导路的工序；在所述条形凸部下设置包含活性层的条形凸部，形成由完全折射率关住光的第一波导路的工序；将所述晶片以分裂面成为谐振器面的方式在所述分隔槽分裂的分裂工序。

主权项

一种半导体激光元件的制造方法，其特征在于，包括：在基板上至少依次叠层第一导电型层、活性层和第二导电型层的工序；在由所述工序叠层的晶片上，将规定波导路区域的长度的分隔槽形成为槽的底面比活性层更深的工序；为了在第二导电型层上设置条形第二凸部，以在所述第二凸部的两侧残留所述第二导电型层的一部分的方式，按照不达到活性层的深度去除位于成为所述第二凸部的部分的两侧的所述第二导电型层，由此形成第二波导路的工序；为了设置包含活性层的条形第一凸部，以在所述第一凸部的两侧残留第一导电型层的一部分的方式，去除位于成为所述第一凸部的部分的两侧的所述第二导电型层及所述活性层的全部、以及所述第一导电型层的一部分，由此形成第一波导路的工序；将所述晶片在所述分隔槽以棒状分裂的分裂工序；切断棒状的晶片而切片化的切片化工序，其中，所述第一导电型层、活性层和第二导电型层由氮化物半导体构成，且所述第一波导路及所述第二波导路在谐振器方向上配置。