一种采用P型衬底的发光二极管

摘要

一种采用P型衬底的发光二极管，涉及发光二极管的外延结构及生产技术领域。在P-GaAs衬底上外延结构由下至上依次为p-GaAs缓冲层、布拉格反射层、p-(AlxGa1-x)yIn1-yP下限制层、Undoped-(AlxGa1-x)yIn1-yP有源区、n-(AlxGa1-x)yIn1-yP上限制层、电流扩展层、表面粗化层和n-GaAs欧姆接触层。本发明在常规LED结构上添加一层粗化层，粗化层可以增加LED器件的有效出光面积，并且可以使原先发生全反射而无法射出的光，在下次以不同角度射向界面，将这些光从外延层中重新提取出来，极大地提高了AlGaInP发光二极管的外量子效率，以提高亮度。

主权项

一种采用P型衬底的发光二极管，在P‑GaAs衬底上外延结构由下至上依次为p‑GaAs缓冲层、布拉格反射层、p‑(AlxGa1‑x)yIn1‑yP下限制层、Undoped‑(AlxGa1‑x)yIn1‑yP有源区、n‑(AlxGa1‑x)yIn1‑yP上限制层、电流扩展层、表面粗化层和n‑GaAs欧姆接触层；其特征在于所述p‑(AlxGa1‑x)yIn1‑yP下限制层中，x为0.6～1，y为0.4‑0.6；所述Undoped‑(AlxGa1‑x)yIn1‑yP有源区中x为0～0.5，y为0.4～0.6；所述n‑(AlxGa1‑x)yIn1‑yP上限制层中，x取值为0.6～1，y取值为0.4～0.6；所述电流扩展层为n‑(AlxGa1‑x)yIn1‑yP，其中x为0～1，y为0.45～0.55；所述表面粗化层为n‑(AlxGa1‑x)yIn1‑yP或n‑GaP，所述x为0～1，y为0.45～0.55。