发明名称 电子器件
摘要 本发明公开一种电子器件,其包括衬底,所述衬底包括有源层;信号电极,所述信号电极形成于所述有源层的表面上;第一驱动电极,所述第一驱动电极形成于所述有源层的所述表面上,并且连接到接地;和第二驱动电极,所述第二驱动地电极包括第一部分和第二部分,所述第一部分形成于所述有源层的所述表面上,所述第二部分连接到所述第一部分,并且所述第二部分设置在所述第一驱动电极上方。所述衬底具有环状凹槽,所述环状凹槽穿透所述有源层并且围绕所述第一部分。
申请公布号 CN102134051A 申请公布日期 2011.07.27
申请号 CN201010570789.6 申请日期 2010.11.29
申请人 富士通株式会社 发明人 中谷忠司;井上广章;上田知史
分类号 B81B3/00(2006.01)I;H01H59/00(2006.01)I 主分类号 B81B3/00(2006.01)I
代理机构 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人 宋鹤
主权项 一种电子器件,其包括:衬底,其包括有源层;信号电极,其形成于所述有源层的表面上;第一驱动电极,其形成于所述有源层的所述表面上,并且连接到接地;和第二驱动电极,其包括第一部分和第二部分,所述第一部分形成于所述有源层的所述表面上,所述第二部分连接到所述第一部分,并且所述第二部分设置在所述第一驱动电极上方,其中,所述衬底具有环状凹槽,所述环状凹槽穿透所述有源层并且围绕所述第一部分。
地址 日本神奈川县