发明名称 |
电子器件 |
摘要 |
本发明公开一种电子器件,其包括衬底,所述衬底包括有源层;信号电极,所述信号电极形成于所述有源层的表面上;第一驱动电极,所述第一驱动电极形成于所述有源层的所述表面上,并且连接到接地;和第二驱动电极,所述第二驱动地电极包括第一部分和第二部分,所述第一部分形成于所述有源层的所述表面上,所述第二部分连接到所述第一部分,并且所述第二部分设置在所述第一驱动电极上方。所述衬底具有环状凹槽,所述环状凹槽穿透所述有源层并且围绕所述第一部分。 |
申请公布号 |
CN102134051A |
申请公布日期 |
2011.07.27 |
申请号 |
CN201010570789.6 |
申请日期 |
2010.11.29 |
申请人 |
富士通株式会社 |
发明人 |
中谷忠司;井上广章;上田知史 |
分类号 |
B81B3/00(2006.01)I;H01H59/00(2006.01)I |
主分类号 |
B81B3/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 |
代理人 |
宋鹤 |
主权项 |
一种电子器件,其包括:衬底,其包括有源层;信号电极,其形成于所述有源层的表面上;第一驱动电极,其形成于所述有源层的所述表面上,并且连接到接地;和第二驱动电极,其包括第一部分和第二部分,所述第一部分形成于所述有源层的所述表面上,所述第二部分连接到所述第一部分,并且所述第二部分设置在所述第一驱动电极上方,其中,所述衬底具有环状凹槽,所述环状凹槽穿透所述有源层并且围绕所述第一部分。 |
地址 |
日本神奈川县 |