| 发明名称 | 形成金属互连的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种形成金属互连的方法，所述方法包括：在前端器件层上依次形成层间介电层、第一阻挡层、金属层和第二阻挡层；对所述第二阻挡层、所述金属层和所述第一阻挡层进行刻蚀，以露出所述金属层的侧壁；对所述金属层进行冷凝处理和光照射处理，并通入氧化性气体，以在所述侧壁上形成钝化层。根据本发明的方法，能够有效解决由于对铝金属进行刻蚀而引入的氯对金属互连结构的腐蚀问题，避免了因腐蚀而导致的断线现象的发生，从而保证了金属互连的电学性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102136451A | 申请公布日期 | 2011.07.27 |
| 申请号 | CN201010102434.4 | 申请日期 | 2010.01.27 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 南基旭 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种形成金属互连的方法，所述方法包括：在前端器件层上依次形成层间介电层、第一阻挡层、金属层和第二阻挡层；对所述第二阻挡层、所述金属层和所述第一阻挡层进行刻蚀，以露出所述金属层的侧壁；对所述金属层进行冷凝处理和光照射处理，并通入氧化性气体，以在所述侧壁上形成钝化层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||