一种用于处理SOI结构的真空处理系统

摘要

本实用新型提供一种用于处理于绝缘体衬底上具有半导体材料的工艺片表面的真空处理系统，其中，包括：一个传输室，其中设置有至少一个工艺片传送装置；一个真空锁；至少一个处理室；一个工艺片预处理室，其中，所述工艺片预处理室还包括：一个或多个工艺片支撑装置；一个或多个预处理装置，其用于对所述工艺片支撑装置上的工艺片加热；控制装置，其用于检测所述工艺片的表面温度，当所述工艺片的表面温度达到一个预定阈值，则发送一个停止信号以指示所述预处理装置停止对所述工艺片进行加热。其中，还可以将真空锁和所述预处理装置整合为一体。本实用新型能够有效地在SOI工艺片夹持之前进行平坦化处理。

主权项

一种用于处理于绝缘体衬底上具有半导体材料的工艺片的真空处理系统，其中，包括：具有多个传输口的传输室，其中设置有至少一个工艺片传送装置，所述工艺片可以通过所述工艺片传送装置经过上述传输口被传输；与所述多个传输口中的至少一个相联接的真空锁，其用于连接所述传输室和外界环境，以在不损失所述传输室内的真空的前提下在外界环境和所述传输室之间进行工艺片传输；与所述多个传输口中的至少一个相联接的处理室，所述工艺片在所述处理室中进行制程处理，其中，所述处理室内设置有静电夹持装置，在制程处理时，所述工艺片被静电夹持于该静电夹持装置上；与所述多个传输口中的至少一个相联接的工艺片预处理室，其中，所述工艺片预处理室包括：一个或多个工艺片支撑装置；一个或多个预处理装置，其用于在工艺片被送入所述处理室处理之前或在处理的过程中对所述工艺片进行预处理，以使得所述工艺片整体上呈现为平坦面。