发明名称 一种植入式MEMS生物电极及其制备工艺
摘要 本发明公开了一种植入式MEMS生物电极及其制备工艺,适用于临床医学中神经性疾病的康复治疗。电极采用MEMS加工技术在基底上制备图形化的刺激电极、记录电极和具有凹槽结构的电极电路引出端,通过化学气相沉积方法生长多层的防渗透绝缘层,用湿法腐蚀的方法腐蚀掉刺激电极、记录电极和电路引出端上的防渗透绝缘层,露出电极和电极引出端的金属薄膜;并结合电镀技术形成电极电路引出端的厚膜结构并实现和外接导线的可靠连接。电极的金属和绝缘层采用生物相容性很好的材料制备,在电极电路和外部导线连接后用生物聚氨酯封装刺激电极和记录电极以外的所有部分,使整个电极具有很好的生物相容性,适合长期植入人体内。
申请公布号 CN101204603B 申请公布日期 2011.07.27
申请号 CN200710199235.8 申请日期 2007.12.14
申请人 西安交通大学 发明人 刘亚雄;刘红忠;秦歌;丁玉成;曹于轰;祁夏萍
分类号 A61N1/05(2006.01)I;A61B5/04(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 主分类号 A61N1/05(2006.01)I
代理机构 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人 李郑建
主权项 一种植入式MEMS生物电极,包括一基底(1),在基底(1)上沉积有绝缘层(8)、成形的刺激电极(3)和记录电极(4)以及防渗透绝缘层(2),其特征在于,所述的刺激电极(3)、记录电极(4)分别由基底(1)上设置的电极电路(11)和在基底(1)一端形成的多个凹槽(7)构成的电极引出端(5)连接,电极引出端(5)上覆盖有金属层(10),刺激电极(3)和记录电极(4)以及电极电路引出端(5)外的所有结构上覆盖有防渗透绝缘层(2)。
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